9月4日，在台北舉行的「Semicon Taiwan 2024」展會上，三星電子記憶體事業本部部長(社長)李正培作為主題演講嘉賓，介紹了三星的HBM優勢。
李正培表示，目前AI時代遇三大挑戰，即能耗、因記憶體頻寬限制帶來的AI效能限制，以及儲存容量限制。由於頻寬和記憶體容量需求增加，目前的HBM構架已經無法滿足需求，加上HBM能耗較高，即數據傳輸與GPU間的能耗較高，因此三星將推出新的HBM構架，以減少當中傳輸。
三星提出的新的解決方案與SK海麗仕一樣，雖然HBM3E及之前的HBM都是采用DRAM制程的基礎裸片（Base Die），采用2.5D 系統級封裝，但是到HBM4都計劃將DRAM Base Die 改成Logic Base Die，以及3D封裝，以推動效能和能效進一步提升。
具體來說，這個Logic Base die是連線AI加速器內部圖形處理單元（GPU）和DRAM的必備元件，位於DRAM的底部，主要充當GPU和記憶體之間的一種控制器，並且這個Logic Base Die與之前的Base Die不同，它可以讓客戶自行設計，可以加入客戶自己的IP，有利於HBM實作客製化，從而讓數據處理更為高效。預計可以將功耗大幅降低至之前的30%。
三星在HBM4以前的DRAM制程Base Die，都是由自家內存部門負責制造，但隨著下一代的HBM4的Base Die轉向 Logic Base Die，這部份則將交由邏輯制程晶圓代工廠制造，三星儲存部門則負責制造核心的DRAM Die，因此未來內存制造商和晶圓代工業者與客戶的合作關系越來越緊密。
李正培表示，「僅靠現有的記憶體工藝來提高HBM的效能是有限的，必須結合邏輯制程才能最大限度地提高 HBM 效能。」不過，這個Logic Base Die的制造並不會限制客戶交由三星設計（幫助客戶加入客戶自己的IP或者選擇三星提供的IP）或一定要使用三星晶圓代工廠來代工，客戶可以自由選擇。
但是，李正培也指出，三星在生產客製 HBM 方面具有優勢，因為三星同時擁有半導體設計和晶圓代工能力，並且在市場上擁有強大的地位。
另外，三星也將推進新的HBM封裝技術，將透過HCB連線技術，使堆疊增加30%、熱阻（thermal resistance）減少20%，再透過3D封裝實作更大頻寬、更大容量、能耗更少。比如Logic Base Die和記憶體之間的頻寬可以達到70.5TB/s。
最後，李正培強調，三星可以一次性完成從Logic Base Die設計、代工制造、封裝的所有工作，可以提供一站式的服務。也可以與很多生態系夥伴共同合作，滿足客戶不同需求，可使用不同夥伴的設計和服務。
相比之下，SK海麗仕在邏輯制程的能力上存在一定的欠缺，為了解決這一問題，SK海麗仕也計劃和台積電進行合作。雖然此前SK海麗仕自己制造Base Die，但從第6代的HBM4開始，將會委托台積電生產Logic Base Die，以進一步提升效率。
編輯：芯智訊-浪客劍
