今年4月華為P70正式搭載麒麟9010上市銷售，7月份，華為銷售門店接到通知，可以談論手機搭載的SOC型號，說明華為已經有把握在極限施壓的情況下繼續生產各式處理器。有博主拆解麒麟9010之後發現，它的光刻工藝環節對準標誌與眾不同，基本可以確定不是進口產品，最有可能是國產型號。然而，某些政客至今仍不死心，仍然以為中國無法自行生產DUVi裝置。
彭博社當地時間8月29日報道：荷蘭政府可能不會續簽允許該國光刻機巨頭阿斯麥公司(ASML)向中國提供裝置維修服務的授權，該授權於2024年底到期。報道談到荷蘭方面的決定是在美國施壓的情況下作出的。
那麽此舉會給中國帶來什麽影響呢？
基本等同於自掘墳墓！真以為中國搞不定高端光刻機？
2020年，有網友透露了中國光刻機研制進展情況。當年網友透露的訊息我們無法證實， 但現在回過頭來看，其中不少資訊已經得到官方證實！
本文在不泄密前提下，根據國內官方網站公開的資訊合理分析。
文中提到的能用於量產11奈米制程工藝的光刻機是什麽意思呢？
參考光刻機行業領先者ASML公布的參數可知其套刻精度達到3奈米以內，曝光分辨率40奈米以內（通常是38～41奈米之間）。
那麽中國深紫外浸沒式光刻機又是什麽水平呢？
先來看看國內某官網公布的SSA800-10W光刻機的參數：套刻精度2.5奈米，曝光分辨率38～41奈米，滿足28奈米工藝需求。
由此可見，國產SSA800-10W光刻機就已經能夠滿足11奈米以下制程工藝量產要求。
在此要強調一點，中國在2021年就已經造出SSA800-10W。
2022年3月18日，中科院微電子研究官方網站釋出了【2021年年鑒】，文中提到：完成28nm浸沒光刻機曝光光源10mJ@4KHz工程樣機交付整機使用及15mJ@6KHz原理樣機研制。
官方學術期刊【雷射與光電子學進展】2022年第五期論文【超精密高速雷射幹涉位移測量技術與儀器】提到： 目前該系列儀器已成功套用於中國350nm至28nm多個工藝節點的光刻機樣機整合研制和效能測。
文中明確提到了28奈米工藝節點樣機，正好與上文提到的「滿足28奈米工藝」相吻合。這說明SSA800-10W就是所謂的「28奈米光刻機」。然而這種28奈米光刻機指的是單次曝光就能量產28奈米制程工藝的光刻機，透過套刻工藝，它也可以用於量產11奈米制程工藝，如果不介意良率和成本，做出7奈米制程工藝也是可以的。
11奈米工藝節點只是2021年中國的水平，現在水平只會更高。
從ASML的發展經驗來看，最新款DUVi型號NXT：2100i與NXT:1980i主要區別就是雙工件台套刻精度更高。
如果能夠提升雙工件台的套刻精度，那就能提升DUVi的曝光分辨率，即可以支持更高端的制程工藝量產。剛好，從2023年官方釋出的訊息來看，中國的雙工件台套刻精度至少達到NXT：2000i的水準，而NXT：2000i就是一款能夠用於量產7奈米甚至是5奈米制程工藝的裝置！
2023年，清華大學機械工程系本科生官方微信平台機械之聲日前發文介紹了該系於2023面8月13日舉辦的【制造前沿講堂-積體電路】專場活動，本期活動邀請到清華機械工程系長聘教授朱煜，就光刻機技術做專題講座。
根據朱煜教授介紹，中國多家研究所正在共同進行DUV光刻機整機攻關和EUV光刻機關鍵技術預研，清華大學團隊目前正在承擔浸沒雙工件台、平面光柵測量系統、EUV光刻機真空工作台等的研發工作。
在活動自由交流環節，有學生向朱煜提問其課題組研發的工件台和ASML公司差距。朱煜回應稱:目前課題組研制的工件台在大的代際上與ASML公司最先進工件台（NXT：2000系列以上產品）處於同一水平。但在小的代際上與ASML的2000系列以上產品（最新型號NXT：2100i）還存在一代的差距，再叠代一次後就可以追上國際先進水平。
按照最保守推測，國產雙工件台套刻精度達到2奈米，樂觀估計達到1.5奈米。
上文中清華大學官方網站的相關報道中明確提到了「DUV光刻機整機攻關」，結合朱煜教授提到的雙工件台訊息來看，這裏的整機攻關應該是指中國正在組織力量繼續提升DUVi整機分辨率，而不僅僅是造出整機！這或許就能解釋，為何麒麟9010處理器上面找不到進口光刻機的套刻對準標誌，很可能是因為采用了國產型號。
報道也提到了「EUV光刻機關鍵技術預研」，說明當時國內仍未完成EUV光刻機整機整合。
據了解，NXT：2000i就能支持5奈米制程工藝量產，只是良率差點而已，而套刻精度更高的NXT：2050i則有助於提升良率，降低生產成本，理論上，不計成本的前提下，可用於量產3奈米制程工藝。
綜上所述，合理推測，中國現在的DUVi裝置水平至少達到NXT:2000i的水準，足以量產5奈米制程工藝，在此大膽預測，今年下一代麒麟9系列SOC采用的就是5奈米制程工藝量產。
既然中國已經能夠自主生產DUVi裝置，那自然也有能力自行維護，這個時候還想威脅中國停止維修服務，那不就等於自掘墳墓嗎？ 恐怕美國的限制會再次落空！
盡管國產DUVi裝置已經取得重大進展，但現在仍不是揚眉吐氣的時候。 一方面，國產DUVi裝置產量很可能仍然十分有限，導致中國仍需大量進口DUVi，另一方面，國產EUV裝置仍未得到官方證實已經研制出來。 未來中國仍需再接再厲，才能徹底打破半導體行業嚴重依賴外國的不利局面。
聲明：本文觀點為個人觀點，不代表官方觀點，歡迎共同探討。
