金融界2024年1月9日訊息，據國家智慧財產權局公告，長鑫儲存技術有限公司申請一項名為「刻蝕模型建立方法、預測方法、裝置、裝置及介質「，公開號CN117371392A，申請日期為2022年6月。
專利摘要顯示，本公開提供了一種刻蝕模型建立方法、預測方法、裝置、裝置及介質，涉及半導體技術領域。所述方法包括：采集晶圓表面的光刻後影像樣本和第n刻蝕後影像樣本，當一步模型訓練無法滿足訓練停止條件時，根據光刻後影像樣本和第n刻蝕後影像樣本，得到第n聚合物側壁保護模式影像樣本和第n物理化學性刻蝕模式影像樣本，並訓練聚合物側壁保護模式神經網路模型和物理化學性刻蝕模式神經網路模型，並根據訓練完成的聚合物側壁保護模式神經網路模型和物理化學性刻蝕模式神經網路模型構建第二待訓練神經網路模型進行訓練。結合刻蝕工藝參數和多模式神經網路模型，提升精確度。
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