近日，全球光刻機大廠ASML首次在其荷蘭總部向媒體公開展示了最新一代的High NA EUV光刻機，除了已經率先獲得全球首台High NA EUV光刻機的英特爾之外，台積電和三星訂購High NA EUV預計最快2026年陸續到位，屆時High NA EUV將成為全球三大晶圓制造廠實作2nm以下先進制程大規模量產的必備「武器」。
ASML發言人Monique Mols在媒體參觀總部時表示，一套High NA EUV光刻系統的大小等同於一台雙層巴士，重量更高達150噸，相當於兩架空中客車A320客機，全套系統需要250個貨箱來裝運，裝機時間預計需要250名工程人員、歷時6個月才能安裝完成，不僅價格高昂也相當耗時。根據此前的爆料顯示，High NA EUV的售價高達3.5億歐元一台。
Monique Mols解釋稱：「我們不斷進行工程設計和開發，還有大量工作要做來校準它並確保它適合制造系統。」 「我們和我們的客戶也有一個陡峭的學習曲線。」預計ASML今年還將發貨「一些」（High NA EUV系統），並且在客製和安裝方面仍有工作要做。
ASML CEO Peter Wennink表示，AI需要大量運算能力和數據儲存，如果沒有ASML將無法實作，這也是公司業務一大驅動力。ASML上季收到的EUV器材訂單也創下了歷史新高。
英特爾在2023年12月已率先拿下了全球首台High NA EUV光刻機，並已經開始在英特爾俄勒岡州晶圓廠安裝。此前外界預計該器材將會被英特爾用於其最先進的Intel 18A制程量產，不過，日前英特爾CEO基辛格（Pat Gelsinger）在財報會議上宣布，Intel 18A預計將在2024年下半年實作制造就緒，但是並不是采用High NA EUV量產，該器材將會被套用於1.8nm以下的挑戰。
除了英特爾之外，台積電、三星等晶圓代工大廠在High NA EUV器材機台采購上則慢於英特爾。業界指出，由於High NA EUV光刻機價格是當前EUV光刻機的兩倍，這也意味著器材成本將大幅增加，由於明年即將量產的2nm依然可以依賴於現有的EUV光刻機來完成，並且成本並不會大幅增加，這也是台積電、三星不急於匯入High NA EUV光刻機的關鍵。
業界人士推測，台積電預計最快在1.4奈米（A14）才匯入High NA EUV曝光機台，代表2025年才可望有采購器材的訊息傳出，若按照台積電先前對外釋出的1.4奈米量產時間將落在2027年至2028年計劃下，台積電的High NA EUV曝光機台交貨時間可能落在2026年開始陸續交機。
不過，可以確定的是，ASML的High NA EUV光刻機已成為英特爾、台積電及三星等晶圓制造大廠進軍2nm以下先進制程的必備武器，僅是大規模采用的時間先後順序有所差別。
事實上，進入7nm以下後，台積電就開始匯入EUV光刻器材，原因在於光罩曝光層數大幅增加，在至少20層以上的重復曝光需求下，孔徑重復對準的精準度要求越來越高，這也讓EUV光刻機成為了必備器材，不僅可以提高良率，也能降低生產成本。
對於High NA EUV系統，ASML此前也表示，其第一代High NA EUA（EXE:5000）的分辨率為 8nm，可以使芯片制造商能夠簡化其制造流程。並且，EXE:5000每小時可光刻超過 185 個晶圓，與已在大批次制造中使用的 NXE 系統相比還有所增加。ASML還制定了到 2025 年將產能提高到每小時 220 片晶圓的路線圖。這種生產力對於確保將高數值孔徑整合到芯片工廠對於芯片制造商來說在經濟上可行至關重要。
不過，半導體研究機構SemiAnalysis的半導體器材和制造分析分析師Jeff Koch則表示：「雖然一些芯片制造商可能會更早地推出它，以試圖獲得技術領先地位，但大多數芯片制造商在它具有經濟意義之前不會采用它。」客戶可以選擇等待並從現有工具中獲得更多收益。Jeff Koch透過自己的計算表示，只有在 2030 年至 2031 年左右從舊技術大規模轉換之後才會變得具有成本效益。此外，「預計ASML 在 2027-2028 年投產的尖端晶圓廠全面采用前沿邏輯制程之後，可能會擁有足夠的High NA EUV產能。」
原本任職於ASML的Jeff Koch不久前還曾釋出了一篇題為【ASML困境：High-NA EUV比Low-NA EUV多模式更糟糕】的文章中指出，現有的Low-NA EUV系統透過雙重圖案化技術，相比High NA EUV更具成本優勢！
不過，ASML 行政總裁 Peter Wennink 今年1月回應稱，分析師可能低估了這項技術。「我們目前在與客戶的討論中看到的一切都是High NA EUV更據經濟效益。」
ASML的High NA EUV產品管理負責人 Greet Storms在上周五表示，拐點將於 2026-2027 年左右到來。
編輯：芯智訊-浪客劍
