IT之家 2 月 8 日訊息，據日經新聞近日報道，晶圓代工企業力積電計劃今年上半年與日企 Power Spin 達成合作，目標 2029 年實作 MRAM 記憶體量產 。雙方的合作中，Power Spin 將提供 MRAM 相關 IP 授權，力積電進行進一步的量產化研發和試產，最終達到量產目標。
據了解，Power Spin 由日本東北大學於 2019 年成立，持有 STT-MRAM 相關技術。
MRAM 記憶體是一種非揮發性記憶體，其在擁有高速讀寫效能的同時可在斷電下保存數據；而且 MRAM 的耗電量相較現有記憶體也更少，理論上可低至 1/100。不過 MRAM 也面臨多重自身問題：成本過高、耐用性與可靠性仍需進一步驗證 。
在生成式 AI 浪潮來襲的今天，數據中心需求大量記憶體，能耗優異的 MRAM 因此成為密切關註物件，相關需求增加。日經認為，這是力積電找上 Power Spin 合作的重要背景原因。
力積電計劃使用在日合資公司的二期生產線生產 MRAM 記憶體，以推動這一新型記憶體的普及。該合資公司由力積電與日本 SBI 控股於去年成立，計劃總投資 8000 億日元（IT之家註：約合 388 億人民幣）在日本建設兩期生產線，首期將於 2027 年建成投產，二期則預估 2029 年投入使用 。
MRAM 現已成為半導體代工業界的前沿熱點：三星之前宣布計劃 2026 年量產 8nm 車用 eMRAM；台積電近期也表示下一代 SOT-MRAM 記憶體研發成功。Ever Spin 技術長遠藤哲郎稱，MRAM 記憶體市場規模已於 2022 年達到 300 億日元（約合 14.6 億人民幣）。
