据opengovasia网 10月19日报道 ，印度科学技术部DST下属机构尼赫鲁科学研究中心（JNCASR）的研究人员对ScN限制半导体中电子迁移率的机制有了新的认识，在半导体行业取得了重大突破。
由副教授Bivas Saha 的带领下研究人员在对未来最有希望的半导体候选材料氮化钪(ScN)的研究中，通过理论分析和实验验证相结合，发现阻碍电子流动迁移的主要散射机制。研究发现电子与纵向光学声子模式之间的相互作用（通常称为弗洛里希相互作用）为 ScN 的电子迁移率设定了固有的上限；另外ScN材料中电离杂质和晶界散射显著降低了整体电子迁移率。研究人员建议，提高纯度不含杂质和缺陷的单晶 ScN 可以显著提高电子迁移率。
在解决已确定的散射机制就可以设计出具有更高电子迁移率的 ScN 材料，使其适用于包括热电设备、神经形态计算、高迁移率电子晶体管和肖特基二极管等各种高性能半导体应用。
该研究成果发表在【纳米快报】上，标志着在寻求更高效的电子设备方面取得了重大进展。
（编译：天容）
链接：https://opengovasia.com/2024/10/19/india-ncasr-researchers-advance-semiconductor-efficiency/
