中國芯片突破新方向：讓7nm芯片效能超越3nm
中國新一輪芯片技術突破：7 nm制程優於3 nm制程
美國現在是中國芯片行業最大的競爭對手。
按照美國的標準，14 nm的鎖存邏輯，18 nm的 DRAM,128 nm的 NAND閃速記憶體。超過這個標準的裝置是不允許出口到中國的。
當然，在美國禁令前，華夏雖然也有進口的，但產能都不會太大，因此某些技術上的突破，例如邏輯積體電路，肯定是不會再用14 nm的。
然而，就現在看來，中國芯的下一步工作，就是要使7 nm制程的能力超過3 nm制程。
不要認為我是在說笑，這是真的。
華為總經理張平安說，5 nm、3 nm、7 nm，我們不可能做得很好，我們不能把技術放在某個環節，而要做的，就是在體系結構方面。
其實他已經說的很明白了， EUV光刻機我們還沒有掌握， EUV光刻機的研制也不是一時半會兒能夠完成的，更別說5 nm以下的光刻機了。
7 nm制程，已經是我們能做到的極限了。
但是相對於5奈米、3奈米和2奈米，7奈米技術的發展必然會有一定的滯後，所以我們需要從體系結構的角度出發，摒棄傳統的滾軋工藝，使7奈米與5奈米、3奈米的技術水平相抗衡。
在體系結構上的革新是什麽？一是使用更佳的電晶體架構，如3D、立體等；二是采取了更先進的封裝工藝，如層疊式、疊層式、立體式封裝等。也可以使用小型晶片工藝，把多個晶片結合起來。也可以采用碳基芯片和光電子芯片等新型材料。
事實上，芯片行業自己也在研究這種技術，但由於當前的制程已經達到了一個臨界點，想要進一步減小難度很大，需要透過新的材料和架構等手段，來提高芯片的效能，而不影響芯片的工作狀態。
華為之前釋出的麒麟9000、麒麟9010就是最好的佐證，盡管它們都不是5奈米，但在效能上卻絲毫不輸給高通、聯發科等5 nm工藝的5 nm芯片。
因此，下一代國產芯片，或許不需要超越5 nm、3 nm、2 nm，但是7 nm已經做到了，剩下的，就只能依靠挖掘了。
而微觀進步的工作，既不會被拋棄，也不會立刻死去，而是朝著一個方向前進，互相融合，繼續前進。
