三星正在考慮在其下一代DRAM中套用模壓填充（MUF）技術。三星最近測試了一種用於3D堆疊（3DS）記憶體的MR MUF工藝，與TC NCF相其吞吐量有所提升，但物理特性卻出現了一定惡化。經過測試，該公司得出結論，MUF不適用於高頻寬記憶體（HBM），但非常適合3DS RDIMM，而目前3DS RDIMM使用矽通孔（TSV）技術制造，主要用於伺服器。
（來源同花順，以上資訊為南都·灣財社AI大數據自動生成）
三星考慮將MUF技術套用於伺服器DRAM記憶體
三星正在考慮在其下一代DRAM中套用模壓填充（MUF）技術。三星最近測試了一種用於3D堆疊（3DS）記憶體的MR MUF工藝，與TC NCF相其吞吐量有所提升，但物理特性卻出現了一定惡化。經過測試，該公司得出結論，MUF不適用於高頻寬記憶體（HBM），但非常適合3DS RDIMM，而目前3DS RDIMM使用矽通孔（TSV）技術制造，主要用於伺服器。
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