6月23日，據業內人士透露，SK海麗仕在6月16日至20日於美國夏威夷舉行的著名半導體會議「VLSI 2024」上發表了有關3D DRAM的研究論文。SK海麗仕在論文中報告稱，其5層堆疊的3D DRAM的制造良率已達56.1%。這意味著在單個測試晶圓上制造的約1000個3D DRAM中生產出了約561個可行器件。實驗性的3D DRAM顯示出與目前使用的2D DRAM相似的特性。這是SK海麗仕首次披露其3D DRAM開發的具體數據和執行特性。（BusinessKorea）
6月23日，據業內人士透露，SK海麗仕在6月16日至20日於美國夏威夷舉行的著名半導體會議「VLSI 2024」上發表了有關3D DRAM的研究論文。SK海麗仕在論文中報告稱，其5層堆疊的3D DRAM的制造良率已達56.1%。這意味著在單個測試晶圓上制造的約1000個3D DRAM中生產出了約561個可行器件。實驗性的3D DRAM顯示出與目前使用的2D DRAM相似的特性。這是SK海麗仕首次披露其3D DRAM開發的具體數據和執行特性。（BusinessKorea）
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