大家都知道，由于起步较晚、发展迟缓，加上「造不如买」思潮的影响，我们半导体产业整体相对落后，尤其是芯片制造主要集中在中低端，先进芯片制造依赖外部。
那么，我们的芯片制造水平究竟落后多少呢？对此，台积电、 ASML 方面都曾发表自己的看法。近日，日本机构宣布了调查结果，张忠谋也没料到，中国芯进步太快了！
ASML 作为全球光刻机巨头，已经垄断了 90% 左右的光刻机市场份额，还独家生产高端 EUV 光刻机。光刻机决定着芯片制造的先进程度，因此 ASML 也有一定话语权。
对于我们大陆的芯片制造技术水平， ASML 新任首席执行官富凯发表了自己的观点，他认大陆芯片技术落后美方 10 年，不过全世界仍然很需要大陆生产的「传统芯片」。
富凯之所以这样说，恐怕也有自己的原因，那就是想继续向中企出货中低端光刻机。
近几年，为了阻挠我们大陆芯片产业发展，美方盯上了 ASML 的光刻机，之前是限制高端 EUV 光刻机出货，去年又扩大限制浸没式 DUV ，未来说不定还会扩大范围。
如今，我们芯片发展以成熟制程为主，芯片产能提升速度非常快，出口数量和金额不断增长。这也引起了美方的关注，于是美方和欧盟开始调查，极有可能进行干涉。
于是就有了 ASML 的发声，因为富凯观点并不客观，我们芯片技术不可能落后 10 年。
对于我们大陆的芯片制造水平，比较有发言权的恐怕应该是台积电，毕竟台积电是全球晶圆代工巨头，经常会了解全球各地的芯片制造水平，以为未来竞争提供参考。
之前，台积电创始人张忠谋就公开表示，大陆的芯片制造水平落后台积电 5 年以上。
张忠谋的观点应该算是比较客观的，因为台积电前两年就实现了 5nm 量产，今年苹果搭载的 3nm 芯片也已上市，而我们中芯国际公开的先进制程还是 14nm 和 12nm 。
当然，并不是我们不努力，这也是有原因的。近年来，中芯国际芯片制造技术的进步有目共睹，尤其是梁孟松加入后，仅用三年多时间就实现了五个世代的技术开发。
从 28nm 到 7nm ，一般公司需要十年以上时间，而梁博士带领团队三年多就完成了。
然而，由于西方国家技术封锁，尤其是美方实施芯片限制，阻挠我们获得高端 EUV 光刻机，所以我们迟迟不能实现 7nm 量产。不然的话，我们的差距恐怕就会更小了。
关于我们的芯片制造水平，近日有新消息传来，日本专业的半导体分析机构经过调查研究后表示，大陆半导体实力进步简直太快了，已经达到仅落后台积电三年水平。
日本机构对比了华为旗舰手机处理器麒麟 9000 和麒麟 9010 ，这两款芯片都是华为旗下海思半导体设计，但麒麟 9000 是 2021 年被制裁以前台积电 5nm 工艺代工的。
而麒麟 9010 是今年华为手机上市搭载的，完全国内生产，已经被验证为 7nm 工艺。
日本机构在对比后发现，这两示麒麟芯片的性能几乎相同，虽然双方在良率上会有落差，但从出货芯片的性能来看，大陆芯片制造技术实力已经仅落后于台积电三年。
日本报告显示，华为 Pura 70 Pro 共搭载了 37 个主要半导体器件，其中海思半导体设计了 14 个，其他中国厂商设计 18 个，也就是说中国制造的半导体已经高达 86% 。
由此可以看出，我们芯片不只是成熟制程产能提升，先进半导体也实现了重点突破。
该日本机构负责人清水洋治表示，美方芯片限制仅稍微拖慢了大陆芯片的进步，但却刺激了大陆半导体产业的发展脚步，实际上中国芯的进步反而比以前速度更快了。
张忠谋当时发声时，恐怕也没有料到，大陆芯片进步会这么快。因此，张忠谋后来才会突然表态，支持美方对华实施芯片限制，妄图以此来延缓我们芯片发展的速度。
