三星正在考虑在其下一代DRAM中应用模压填充(MUF)技术。三星最近测试了一种用于3D堆栈(3DS)内存的MR MUF工艺,与TC NCF相其吞吐量有所提升,但物理特性却出现了一定恶化。经过测试,该公司得出结论,MUF不适用于高带宽内存(HBM),但非常适合3DS RDIMM,而目前3DS RDIMM使用硅通孔(TSV)技术制造,主要用于服务器。
(来源同花顺,以上信息为南都·湾财社AI大数据自动生成)
三星正在考虑在其下一代DRAM中应用模压填充(MUF)技术。三星最近测试了一种用于3D堆栈(3DS)内存的MR MUF工艺,与TC NCF相其吞吐量有所提升,但物理特性却出现了一定恶化。经过测试,该公司得出结论,MUF不适用于高带宽内存(HBM),但非常适合3DS RDIMM,而目前3DS RDIMM使用硅通孔(TSV)技术制造,主要用于服务器。
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