金融界2024年1月9日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为「刻蚀模型建立方法、预测方法、装置、设备及介质「，公开号CN117371392A，申请日期为2022年6月。
专利摘要显示，本公开提供了一种刻蚀模型建立方法、预测方法、装置、设备及介质，涉及半导体技术领域。所述方法包括：采集晶圆表面的光刻后图像样本和第n刻蚀后图像样本，当一步模型训练无法满足训练停止条件时，根据光刻后图像样本和第n刻蚀后图像样本，得到第n聚合物侧壁保护模式图像样本和第n物理化学性刻蚀模式图像样本，并训练聚合物侧壁保护模式神经网络模型和物理化学性刻蚀模式神经网络模型，并根据训练完成的聚合物侧壁保护模式神经网络模型和物理化学性刻蚀模式神经网络模型构建第二待训练神经网络模型进行训练。结合刻蚀工艺参数和多模式神经网络模型，提升精确度。
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