导语
2022年，全球存储行业又传来重磅消息: 韩国SK海力士宣布推出321层的4D NAND Flash样品，相较于2021年7月份推出的176层3D NAND芯片，单颗芯片的容量翻番，从2Tb翻到4Tb。
不仅如此，新款芯片还将延迟降低13%，性能提升12%，功耗降低10%，生产效率提升59%，成本降低50%，可谓一举多得。
更让人惊讶的是，三星公司也即将推出300+层4D NAND闪存，下一代产品甚至会超过400层，而美光公司也计划在2023年推出300+层的NAND闪存。
目前三星已经开始开始测试研发出的305层4D NAND闪存，个中原因是有人为后发优势，三星认为在2015年推出96层的第五代3D V-NAND闪存之后，自己的闪存研究项目远比SK Hynix和美光领先。
这场3D NAND闪存厂商间的争夺战不仅在产品性能上，更在技术水平上，然而，就在2019-2020年间，国产芯片公司长江存储却因为遭受美国的制裁，制裁达到1年之久，从行业龙头，变成落后三星、SK海力士、美光的一员，那么长江存储又遭受何种制裁?
NAND闪存技术突破。
在介绍长江存储遭受制裁的原因之前，首先需要介绍一下NAND闪存的概念。
NAND在这里不是指中国的唐崇，而是Not AND的缩写，是一种逻辑电路门电路，只有当多个输入同时为非时，输出才为非，当然了，NAND还有非常重要的一个特点，就是可编程擦除，也可以称作非易失性随机存取存储器，简称为NVRAM。
同时NAND存储器通常采用包括NOR、AND、异或、非门等组合，由于NAND存储器在成本上更加低廉，所以在实际生产过程中，NAND存储器的用途更加广泛，而在早期的时候NAND存储器用作手机储存内存的应用。
但随着电竞、云计算以及人工智能的兴起，其对内存存储需求也将会飙升，所以在2017年，长江存储推出我国首条量产下一代存储产品，这种产品采用了64层的NAND闪存，能够将容量提升达到50%，同时功耗相较于上一代产品减少了30%。
而在2020年，长江存储宣布，推出世界首款量产的232层NAND闪存产品，相较于64层的产品，容量提升了3.5倍，同时，采用了多层堆叠技术，提升了存储密度，同时降低了成本。
我国的芯片技术终于突破了NAND闪存的技术瓶颈，这主要还要归功于多层堆叠技术的突破。
多层堆叠可以使得芯片的存储密度和容量大大提高，同时有效减少了芯片的尺寸。
长江存储正是抓住了这一技术风口，尽快投入研发，才使得我国的芯片技术发展突破重重阻碍，成功突破技术瓶颈，但同时，遭受美国的制裁，其技术发展道路又为何受阻?
长江存储遭受制裁。
有不少人猜测长江存储遭受制裁的原因:
第一、是长江存储在创破技术突破之后，横空出世，并导致了一定的威胁，因为长江存储知名度不高，但却在闪存领域积累了不少实力;
第二、也是最明显的一个，就是美国不希望看到中国在闪存领域反超，更不愿看到我国芯片技术超越美国，所以就对长江存储下手;
第三、就是有人认为是因为长江存储与茅台集团有所合作，但这一说法不太靠谱，因为中国大部分高科技企业都有外商投资，长江存储只是一个借口。
这三种说法都不太准确，因为长江存储与美光、英特尔、镁光，都有一定的技术合作关系，其技术路径与美国大厂并无太大差别，所以美国不会刻意刁难。
所以，长江存储遭受的制裁是源于许多因素的综合。
第一，我国的半导体产业长期以来，很大一部分都依赖着进口芯片，进口芯片的比重一度高达90%，在这种情况下，长江存储一度遭受了美国的制裁，导致主要原材料都无法进口，甚至无法获得进口设备。
好在我国有着丰富的芯片人才储备，所以若要想半导体产业的发展，就必须减少对外部供应商的依赖，提高自主生产能力。
第二，由于长江存储在2020年9月份被美国对其制裁，严重影响了长江存储的产能。
在早年间，长江存储已经和英特尔公司签订合同，为英特尔公司代工生产芯片，然而英特尔公司也因为美国的一些政策，取消了部分订单，甚至完全停止和长存的合作，从停工后半个月时间，收购的订单就少了三十多台设备。
第三，同时在2020年5月份，长江存储被美国对其制裁后，我国政府也出台了一系列相关政策，防止制裁事件的扩散，同时保护我国的一些积极发展的科技公司，这一系列措施，把长江存储左右为难。
所以，长存作为全球第一个，也是唯一一个拥有3D NAND闪存，且全系列24层，总共有48个类型产品的生产企业，功不可没，同时也为中国半导体行业，燃起一抹希望之光。
NAND闪存行业厂商地位变化。
在2019年，长江存储在生产的容量上，并没有超过美光，但在生产的数量上已经超过了美光，这显示出长存的技术产能已经足够，美光在NAND技术的突破上，也已经落后于三星、SK海力士。
三星最先推出96层的NAND闪存，此时，美光的技术水平还停留在64层，从三星推出128层后，美光的技术水平却还停留在96层，此时三星已经推出176层的技术，美光却还停留在96层。
在2021年，美光也开始推出176层的技术，并且宣称，自家的业界领先，但实际上，美光并不具备量产176层的NAND闪存的条件。
美光的最高密度是好几届，这是为什么?
单靠没有技术积累和耗费时间，无法达到当前的研发高度，同时，也是没有权限，需要等风头过一过，再继续往下说。
美国对我国半导体行业下手时，正巧赶上我国半导体行业的高速发展期，一举带动了我国半导体行业的发展，所以制裁我国的长存，就是不希望看到我国的半导体行业的繁荣发展，企图拉我国的半导体行业一条后腿，变得落后其他国家。
长存在NAND闪存领域，一直处于领先地位，这都得益于多层堆叠技术的突破，一直在为其寻找下一代的芯片技术，所以长存的技术水平一度高于美光。
在我国的半导体产业的技术领域，也受到来自美国的技术封锁，在芯片领域拥有一定的技术积累也是一枝花，然而，技术的积累是需要时间的，正是由于长存多年积累的技术，才有了NAND闪存行业的头部企业。
在我国半导体领域，尤其是在产业链上，都需要尽快的减少对外部技术的依赖，同时，政府还需要加大资金投入，在半导体领域推动我国的技术创新。
同时，我国的优秀人才也是一笔宝贵的财富，拥有了人才，就可以走出一条新的路子，技术独立发展的道路，这才是根本的解决方案。
结语
创新是企业发展的关键，企业的发展，不应当依赖他人，更应当靠自己的努力，我国的芯片技术积淀相对较少，半导体产业需要逐步完善，减少风险，为半导体行业发展添砖加瓦。
