安徽大學網站7月16日訊息，近期，安徽大學新型拓撲磁性材料與記憶體件杜海峰團隊，利用聚焦離子束微納器件制備技術制備出了世界上最小尺寸的斯格明子賽道器件單元（賽道寬度：100 nm），結合高時空分辨原位勞侖茲電鏡技術，實作了納秒電脈沖驅動下，100 nm寬度賽道中80 nm磁斯格明子一維、穩定、高效的運動，為構築高密度、高速度、可靠的新型拓撲磁電子學器件提供了重要支撐。相關研究成果以「80 nm 斯格明子在100 nm賽道中的穩定運動」為題發表在【自然-通訊】上（Doi:10.1038/s41467-024-49976-6）。
安徽大學物質科學與資訊科技研究院宋東升教授為論文第一作者，雙聘教授杜海峰為通訊作者，強磁場科學中心張水森博士和劉藝舟研究員，華南理工大學鄭風珊教授，德國於利希研究中心Rafal E. Dunin-Borkowski教授, 美國紐咸西州大學臧家棟教授，安徽大學物科院王偉偉教授和物理與光電工程學院田明亮教授為論文的重要合作者。
單個80 nm磁斯格明子在100 nm賽道中的一維、穩定、高速運動安徽大學
2009年，德國科學家在一類手性金屬磁性材料中，發現一種具有非平庸拓撲特性的磁結構，稱之為磁斯格明子。其具有尺寸小、穩定性高、電流易操控等優點，有望作為下一代數據載體，用於構築新型的磁電子學器件。實作電流驅動下磁斯格明子在納米賽道中穩定、可控的運動，是器件構築中最核心的問題之一。
然而，在過去15年的研究中，有兩個關鍵問題仍未得到有效解決：（1）器件特征尺寸太大，目前實驗上展示的最小條頻寬度大於400 nm，不符合器件的高密度要求；（2）斯格明子霍爾效應：磁斯格明子由於其自身獨特的拓撲內容，在運動過程中產生偏轉，這會導致其運動軌跡不可控，並且容易在賽道邊界消失，是器件構築的重要障礙。
針對這兩個問題，杜海峰團隊發展了器件結構單元聚焦離子束加工制備技術，設計制備出厚度均勻、邊界/表面平整、非晶層厚度小於2 nm的高質素FeGe納米條帶（長度：10 μm；寬度：100 nm），為寬度目前報道的最小尺寸；研制了透射電鏡原位加電芯片，擴充套件了勞侖茲透射電鏡原位加電功能。
透過控制電流脈沖寬度及電流密度，利用賽道邊界的邊緣態磁結構穩定斯格明子運動，實作了單個80 nm大小的磁斯格明子在100 nm FeGe賽道中的一維、穩定運動。實驗實作：器件特征尺寸約100 nm；最小有效電流脈沖寬度2 ns；最大運動速度接近100 m/s；斯格明子霍爾角為0°。這些結果展示了納米賽道中磁斯格明子高速、穩定的運動特性，為基於磁斯格明子器件的構築奠定了基礎。
