今天分享的是AI行業系列深度報告（二）： 【HBM，高頻寬特性釋放AI硬件效能，AI高景氣持續驅動需求高增】 ,（報告出品方：平安證券） 。
精選報告來源：幻影視界
研究報告內容摘要如下
HBM是當前AI時代首選的記憶體技術
AI時代下高頻寬儲存需求激增，HBM技術正步入快速發展階段。HBM（High Bandwidth Memory ，高寬頻記憶體）采用矽 通孔（ TSV）技術將多個DRAM芯片進行堆疊，並與GPU一同進行封裝，形成大容量、高位寬的DDR 組合陣列，從而克 服單一封裝內的頻寬限制。相較於傳統DDR記憶體，HBM 具有高頻寬、低功耗、低延時等優勢，已成為當前高效能計算、 人工智能等領域的首選記憶體技術。以輝達p00 SXM5為例，其整合了6顆HBM3，總容量達到80GB ，記憶體頻寬超 3TB/s，是A100記憶體頻寬的2倍。
三大原廠持續擴充HBM產能，SK海力士位居全球市場份額首位。當前AI高景氣不斷驅動HBM需求高增，持續推動HBM位元出貨量和產值同步增長，根據Yole 預測數據，預計2025年全球HBM位元出貨量和行業產值將分別達到17億GB和199億美元。競爭格局方面，根據TrendForce 數據，以位元出貨量作為統計口徑， 2023年全球HBM市場中，SK海力士和三星的市場份額各占47.5%左右，而美光份額約為5%。隨著HBM3e的率先推出及放量，預計2024年SK 海力士的市場份額 將增加至52.5%，而三星的市場份額將下降至42.4%。為了滿足持續增長的HBM需求，三大原廠紛紛加大資本開支擴建HBM產能，其中，三星和SK 海力士的產 能擴充最為積極，預計到2024年底，三星HBM總產能將達約13萬片/月，SK海力士約12萬片/月，而美光僅為2萬片/ 月。
TSV技術是HBM實作芯片垂直堆疊的核心工藝
HBM加工制造流程主要包括前端晶圓制造加工，以及後端Bumping、Stacking和KGSD 測試環節。其中，相較於平面 DRAM的制造流程，TSV（矽通孔）技術是HBM實作芯片垂直堆疊的核心工藝。
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