7月20日訊息，據Tomshardware報道，中國3D NAND Flash大廠長江儲存（YMTC）近日在美國加利福尼亞州北部地區再度對美光提起訴訟，指控這家美國公司侵犯了其11項專利，涉及3D NAND Flash及DRAM產品。長江儲存要求法院勒令美光停止在美國銷售侵權的記憶體產品，同時支付專利使用費。
長江儲存指控稱，美光的96層（B27A）、128層（B37R）、176層（B47R）和232層（B58R）3D NAND Flash以及美光的一些DDR5 SDRAM產品（Y2BM系列）侵犯了長江儲存在美國送出的11項專利或專利申請。
值得一提的是，2023年11月，長江儲存還在美國加州北區地方法院對美光及其子公司美光消費類產品事業部提起訴訟，指控它們侵犯了其8項與3D NAND Flash相關的美國專利。
以下是訴訟中參照的八項專利：
US10950623：3D NAND記憶體件及其形成方法
US11501822：非揮發性記憶體件及控制方法
US10658378：三維記憶體件的直通陣列接觸（TAC）
US10937806：三維記憶體件的直通陣列接觸（TAC）
US10861872：三維儲存裝置及其形成方法
US11468957：NAND記憶體操作的架構和方法
US11600342：三維儲存器材的讀取時間
US10868031：多堆疊三維記憶體件及其制造方法
今年6月7日，長江儲存由在美國加利福尼亞州北區聯邦地區法院提起訴訟，指控受美光資助的丹麥咨詢公司Strand Consult及其副總裁羅絲琳·雷頓（Roslyn Layton）散布虛假資訊，破壞長江儲存的市場聲譽和商業關系。
顯然，長江儲存 正 試圖透過專利來打擊 美 光 ，以獲得對抗美國打壓的 籌碼。
美國商務部於2022年底將長江儲存列入了實體清單，這使得該公司無法從美國公司獲得先進的半導體器材來制造領先的128層及以上的3D NAND Flash器件。
盡管受到美國政府的嚴格限制，長江儲存仍繼續努力透過原有的器材及國產器材來幫助其發展其3D NAND Flash。該公司的Xtacking 3.0產品依然在奮力的維持生產，並正在開發新一代的Xtacking 4.0架構的3D NAND Flash。今年早些時候，長江儲存還宣布，它已經設法將3D QLC NAND Flash的耐久性大幅提高到3D TLC NAND Falsh的水平（達到4000個編程/擦除周期），這大大改善了廉價SSD的特性。
編輯：芯智訊-浪客劍
