全球三大儲存芯片企業都公布了一季度的業績，業績顯示他們仍然處於虧損當中，主要原因在於中國並未迅速增加需求，導致全球儲存芯片行業仍然處於虧損當中，這意味著他們此前聯手減產漲價的措施並未取得效果。
第一大儲存芯片企業三星公布的業績顯示凈利潤暴跌86%，這已是它連續數個季度暴跌，利潤暴跌仍然是儲存芯片業務拖累，它的儲存芯片業務部門出現34億美元的營業虧損，創下了14年來的虧損紀錄。
全球第二大儲存芯片企業則與三星同為南韓企業的SK海力士，SK海力士凈虧損達到19億美元；第三大儲存芯片企業則是美國的美光，美光的凈虧損達到23.1億美元，較去年二季度的19億美元擴大了。
為了扭轉虧損，業內傳出這些儲存芯片企業聯手減產、漲價，從去年以來全球儲存芯片價格已回升兩成，然而從他們的業績可以看出，儲存芯片價格回升並未能扭轉他們虧損的命運，導致如此結果在於全球最大的儲存芯片市場--中國市場並未迅速增加采購量。
中國是全球最大的芯片采購國，中國采購了全球七成的芯片，而采購的儲存芯片占全球市場的份額達到三分之一，從這三大儲存芯片企業的業績可以看出，中國並未增加采購量，乃至可能還在減少，導致他們聯手漲價都未能扭轉虧損。
中國儲存芯片在早幾年已開始起步，2022年中國的儲存芯片更率先量產了232層NAND flash，由此國產儲存芯片市占率一度猛增，給韓美的儲存芯片企業帶來巨大的壓力。
從2022年下半年以來，全球儲存芯片價格腰斬，不過隨後美國出手，阻止海外先進器材企業為這兩家中國儲存芯片企業提供先進器材，導致他們的技術研發陷入停滯，2023年三星、美光等研發成功300層NAND flash，重新取得儲存芯片技術主導權。
不過雖然中國的儲存芯片雖然稍微落後，但是由於資訊保安等因素的影響，國內企業市場還是在采用國產儲存芯片，甚至美光還曾被進行安全審查，這對於國內企業市場影響深遠，為了在中國銷售更多儲存芯片，美光放下了身段，主動與中國一家儲存芯片企業和解，並派出高管訪華。
儲存芯片與手機芯片、CPU、伺服器等芯片行業有很大的不同，由於技術的差異，如今的儲存芯片仍然采用10納米以上工藝，而不是如這些邏輯芯片那樣進展到3納米，如此國內的儲存芯片完全可以利用現有的芯片器材繼續發展，實作國產替代。
韓美儲存芯片在聯手漲價的情況下都未能扭轉虧損的局面，凸顯出中國市場對全球芯片的影響超過他們的預期，如果中國加強國產芯片替代，芯片進口繼續減少，即使他們擁有技術優勢，也可能如儲存芯片行業那樣持續虧損，
