導語
2022年，全球儲存行業又傳來重磅訊息: 南韓SK海力士宣布推出321層的4D NAND Flash樣品，相較於2021年7月份推出的176層3D NAND芯片，單顆芯片的容量翻番，從2Tb翻到4Tb。
不僅如此，新款芯片還將延遲降低13%，效能提升12%，功耗降低10%，生產效率提升59%，成本降低50%，可謂一舉多得。
更讓人驚訝的是，三星公司也即將推出300+層4D NAND快閃記憶體，下一代產品甚至會超過400層，而美光公司也計劃在2023年推出300+層的NAND快閃記憶體。
目前三星已經開始開始測試研發出的305層4D NAND快閃記憶體，個中原因是有人為後發優勢，三星認為在2015年推出96層的第五代3D V-NAND快閃記憶體之後，自己的快閃記憶體研究專案遠比SK Hynix和美光領先。
這場3D NAND快閃記憶體廠商間的爭奪戰不僅在產品效能上，更在技術水平上，然而，就在2019-2020年間，國產芯片公司長江儲存卻因為遭受美國的制裁，制裁達到1年之久，從行業龍頭，變成落後三星、SK海力士、美光的一員，那麽長江儲存又遭受何種制裁?
NAND快閃記憶體技術突破。
在介紹長江儲存遭受制裁的原因之前，首先需要介紹一下NAND快閃記憶體的概念。
NAND在這裏不是指中國的唐崇，而是Not AND的縮寫，是一種邏輯電路門電路，只有當多個輸入同時為非時，輸出才為非，當然了，NAND還有非常重要的一個特點，就是可編程擦除，也可以稱作非揮發性隨機存取記憶體，簡稱為NVRAM。
同時NAND記憶體通常采用包括NOR、AND、異或、非門等組合，由於NAND記憶體在成本上更加低廉，所以在實際生產過程中，NAND記憶體的用途更加廣泛，而在早期的時候NAND記憶體用作手機儲存記憶體的套用。
但隨著電競、雲端運算以及人工智能的興起，其對記憶體儲存需求也將會飆升，所以在2017年，長江儲存推出中國首條量產下一代儲存產品，這種產品采用了64層的NAND快閃記憶體，能夠將容量提升達到50%，同時功耗相較於上一代產品減少了30%。
而在2020年，長江儲存宣布，推出世界首款量產的232層NAND快閃記憶體產品，相較於64層的產品，容量提升了3.5倍，同時，采用了多層堆疊技術，提升了儲存密度，同時降低了成本。
中國的芯片技術終於突破了NAND快閃記憶體的技術瓶頸，這主要還要歸功於多層堆疊技術的突破。
多層堆疊可以使得芯片的儲存密度和容量大大提高，同時有效減少了芯片的尺寸。
長江儲存正是抓住了這一技術風口，盡快投入研發，才使得中國的芯片技術發展突破重重阻礙，成功突破技術瓶頸，但同時，遭受美國的制裁，其技術發展道路又為何受阻?
長江儲存遭受制裁。
有不少人猜測長江儲存遭受制裁的原因:
第一、是長江儲存在創破技術突破之後，橫空出世，並導致了一定的威脅，因為長江儲存知名度不高，但卻在快閃記憶體領域積累了不少實力;
第二、也是最明顯的一個，就是美國不希望看到中國在快閃記憶體領域反超，更不願看到中國芯片技術超越美國，所以就對長江儲存下手;
第三、就是有人認為是因為長江儲存與茅台集團有所合作，但這一說法不太靠譜，因為中國大部份高科技企業都有外商投資，長江儲存只是一個借口。
這三種說法都不太準確，因為長江儲存與美光、英特爾、鎂光，都有一定的技術合作關系，其技術路徑與美國大廠並無太大差別，所以美國不會刻意刁難。
所以，長江儲存遭受的制裁是源於許多因素的綜合。
第一，中國的半導體產業長期以來，很大一部份都依賴著進口芯片，進口芯片的比重一度高達90%，在這種情況下，長江儲存一度遭受了美國的制裁，導致主要原材料都無法進口，甚至無法獲得進口器材。
好在中國有著豐富的芯片人才儲備，所以若要想半導體產業的發展，就必須減少對外部供應商的依賴，提高自主生產能力。
第二，由於長江儲存在2020年9月份被美國對其制裁，嚴重影響了長江儲存的產能。
在早年間，長江儲存已經和英特爾公司簽訂合約，為英特爾公司代工生產芯片，然而英特爾公司也因為美國的一些政策，取消了部份訂單，甚至完全停止和長存的合作，從停工後半個月時間，收購的訂單就少了三十多台器材。
第三，同時在2020年5月份，長江儲存被美國對其制裁後，中國政府也出台了一系列相關政策，防止制裁事件的擴散，同時保護中國的一些積極發展的科技公司，這一系列措施，把長江儲存左右為難。
所以，長存作為全球第一個，也是唯一一個擁有3D NAND快閃記憶體，且全系列24層，總共有48個類別產品的生產企業，功不可沒，同時也為中國半導體行業，燃起一抹希望之光。
NAND快閃記憶體行業廠商地位變化。
在2019年，長江儲存在生產的容量上，並沒有超過美光，但在生產的數量上已經超過了美光，這顯示出長存的技術產能已經足夠，美光在NAND技術的突破上，也已經落後於三星、SK海力士。
三星最先推出96層的NAND快閃記憶體，此時，美光的技術水平還停留在64層，從三星推出128層後，美光的技術水平卻還停留在96層，此時三星已經推出176層的技術，美光卻還停留在96層。
在2021年，美光也開始推出176層的技術，並且宣稱，自家的業界領先，但實際上，美光並不具備量產176層的NAND快閃記憶體的條件。
美光的最高密度是好幾屆，這是為什麽?
單靠沒有技術積累和耗費時間，無法達到當前的研發高度，同時，也是沒有許可權，需要等風頭過一過，再繼續往下說。
美國對中國半導體行業下手時，正巧趕上中國半導體行業的高速發展期，一舉帶動了中國半導體行業的發展，所以制裁中國的長存，就是不希望看到中國的半導體行業的繁榮發展，企圖拉中國的半導體行業一條後腿，變得落後其他國家。
長存在NAND快閃記憶體領域，一直處於領先地位，這都得益於多層堆疊技術的突破，一直在為其尋找下一代的芯片技術，所以長存的技術水平一度高於美光。
在中國的半導體產業的技術領域，也受到來自美國的技術封鎖，在芯片領域擁有一定的技術積累也是一枝花，然而，技術的積累是需要時間的，正是由於長存多年積累的技術，才有了NAND快閃記憶體行業的頭部企業。
在中國半導體領域，尤其是在產業鏈上，都需要盡快的減少對外部技術的依賴，同時，政府還需要加大資金投入，在半導體領域推動中國的技術創新。
同時，中國的優秀人才也是一筆寶貴的財富，擁有了人才，就可以走出一條新的路子，技術獨立發展的道路，這才是根本的解決方案。
結語
創新是企業發展的關鍵，企業的發展，不應當依賴他人，更應當靠自己的努力，中國的芯片技術積澱相對較少，半導體產業需要逐步完善，減少風險，為半導體行業發展添磚加瓦。
