IT之家 10 月 26 日訊息，德州儀器 TI 本月 24 日宣布，其位於日本會津的工廠已開始生產基於氮化鎵 GaN 材料的功率半導體產品，這也意味著德州儀器的整體 GaN 功率半導體產能升至以往四倍。
德州儀器技術和制造高級副總裁 Mohammad Yunus 表示：
憑借十多年來在氮化鎵芯片設計和制造方面的專業知識，我們已成功驗證了我們的 200mm（IT之家註：即 8 英寸）氮化鎵技術 —— 當今最具可延伸性和成本競爭力的 GaN 制造方法 —— 並在會津開始量產。
這一裏程碑使我們能夠在內部制造更多的 GaN 芯片，到 2030 年，我們的內部制造率將達到 95% 以上，同時還可以從德州儀器的多個地點采購，確保我們整個 GaN 高功率、高能效半導體產品組合的可靠供應。
會津 GaN 功率半導體生產線的投入量產也意味著德州儀器可將其 GaN 器件擴充套件到 900V 乃至更高的電壓，開創更為廣闊的套用場景；此外德州儀器 今年早些時候成功進行了 300mm（12 英寸） 晶圓 GaN 制造工藝的試點 。
