北京大學電子學院彭練矛教授和邱晨光研究員的團隊在2023年取得了一項重大科技突破，他們研發出的二維硒化銦晶體管在國際上重新整理了速度最快、能耗最低的記錄。這項研究成果不僅是科技進步的象征，更代表了中國在半導體技術領域的重大跨越，向世界展示了中國科技的強大實力和創新能力。
科技創新的新高度
北京大學的研究團隊成功制備了10納米超短溝道彈道二維硒化銦晶體管，這一技術突破實作了二維晶體管效能的重大飛躍。相比於現有的Intel商用10納米節點的矽基Fin晶體管，這種新型二維晶體管在實際效能上已經實作了超越，將二維晶體管的工作電壓降低到了0.5V，這在全球範圍內都是前所未有的 。
突破突破矽基極限
長期以來，矽基半導體技術的發展面臨著物理極限的挑戰。隨著晶體管尺寸的不斷微縮，效能提升的空間逐漸受限。北京大學的這項研究成功超越了矽基材料的極限，開辟了使用二維材料作為未來芯片溝道材料的新途徑。這不僅為摩爾定律的延續提供了可能，也為未來電子器材的高效能和低功耗提供了新的解決方案。
低功耗高效能的未來
這項技術的另一個重要意義在於，它為實作更低功耗和更高效能的電子器材提供了可能。在大數據和人工智能等領域，對芯片效能和能效的要求越來越高。透過這種新型二維晶體管，未來的電子器材能夠在保持高速運算的同時，大振幅降低能耗，這對於推動可持續發展和節能減排具有重要意義。
展望未來
北京大學電子學院團隊的這一成就是中國科技創新能力的明證，不僅展現了中國在材料科學和半導體技術領域的先進水平，也為全球電子產業的發展貢獻了中國智慧。隨著這一技術的進一步成熟和套用，預計將在智能制造、資訊科技、可持續能源等多個領域產生深遠的影響，推動全球科技進步和產業升級，我們期待看到更多類似的突破，見證中國科技的輝煌成就。
