眾所周知，因為被制裁的原因，目前中國尋求在半導體行業的各個方面實作自給自足，提高自給率，減少對國外的依賴。
這個各個方面，包括邏輯芯片制造、DRAM記憶體、HBM記憶體、NAND快閃記憶體，以及半導體裝置、半導體材料等等。
那麽，這些領域，究竟表現如何，近日，有國外的媒體，對國內的半導體產業，進行了整理，然後得出了一些結論，看看大家認同不認同。
首先是大家最熟悉的邏輯芯片制造方面，年初的時候，英特爾執行長帕特·季辛吉（Pat Gelsinger）表示，在芯片制造方面，中國或落後於全球半導體行業約10年。
不過，也有分析師認為，基於華為Mate 60 Pro、Pura70這兩款手機，來對比競爭對手，落後應該在3-5年左右，沒有10年那麽長。
所以，目前外媒基本上都認為，目前在邏輯芯片制造方面，差距固定在5年左右的時間。
再看DRAM方面，按照1-2-3-4-4X-5-5X的發展路徑來看，目前三星、SK海麗仕、美光等，已經實作了LPDDR5X，也就是第7代技術。
而中國廠商CXMT(長鑫)，目前已經實作了LPDDR5，相當於第6代，落後僅一代的水平。
不過在最新的HBM方面，White Oak Capital的投資總監Nori Chiou估計，中國落後於全球競爭對手10年，畢竟起步晚的太多了。
再看NAND方面，TechInsights 認為，YMTC（長存），曾全球推出「首款200+層3D NAND快閃記憶體」，領先於競爭對手三星、SK 海麗仕和美光。
但後來因為被拉入黑名單後，先進裝置被限制了，於是先進制造方面陷入困境，目前進行國產替代後，其實際全國產化的水平，應該只有160L水平，和三星、SK海麗仕相比，應該有兩代差距。
但這裏外媒也表示，真實水平不太好說，因為長存的技術還是存在的，只是裝置受限，只要有先進裝置，技術本身是沒有落後的。
另外在半導體裝置方面，中國落後全球領先企業大約在3-5年左右，但在光刻機方面，外媒認為，至少是15年以上的差距，因為中國僅制造出了DUV光刻機，連浸潤式光刻機技術，都沒有掌握，而ASML掌握浸潤式光刻機技術已經超過了20年，考慮到現在技術進步的速度，所以外媒認為，這樣算下來，在光刻機方面至少是15年以上的差距。
此外，外媒表示半導體產業是非常復雜的產業，目前全球沒有任何一個國家能夠真正實作自給，中國因為被打壓，雖然刺激了創新，但在如此復雜的技術生態系中，「單打獨鬥」戰略將很困難，中國要想實作全產業鏈自給的目標，還要有很長很長的一段路要走。
