導語
2016年，南京長江儲存科技有限公司的成立標誌著中國儲存行業新的開端。
長江儲存不僅是國內最大的3D NAND快閃記憶體生產商，也是全球首家量產232層3D NAND快閃記憶體的廠商。
盡管近年來長江儲存面臨著美國的打壓，但其技術創新從未停止。
就在前不久，長江儲存再次釋出了新一代QLC 3D NAND快閃記憶體，將IO介面速度提升至2400MT/s，並在讀寫速度上比上一代提升了近100%。
被打壓的長江儲存。
自2016年成立以來，長江儲存以其強大的技術實力迅速崛起，成長為全球知名的儲存廠商。
在2016年全球半導體大會上，長江儲存推出了全球首款量產的32層3D NAND快閃記憶體。
這一重大突破標誌著中國儲存行業的落後程度正逐漸縮小。
2019年，長江儲存再次領先全球，量產了64層3D NAND快閃記憶體，在技術實力上獨占鰲頭。
2020年，長江儲存又推出全球首款量產128層3D NAND快閃記憶體，進一步鞏固了其行業領導者地位。
2021年，長江儲存再次領先全球，量產了176層3D NAND快閃記憶體。
然而，這一突破令美國和日本等國家感到威脅，紛紛對長江儲存實施打壓，並對其出售生產裝置設限，甚至限制相關人員和技術的流入。
面對外部壓力，長江儲存沒有選擇放棄，而是迎難而上。
2023年，長江儲存率先量產232層3D NAND快閃記憶體，再次站在行業最前沿，領先全球3-5年。
不僅如此，長江儲存還在今年釋出了新一代QLC 3D NAND快閃記憶體，進一步展現出其強大的技術實力和創新能力。
盡管美國多次對長江儲存實施打壓，甚至揚言要將其從全球全球NAND Flash市場中排除，但長江儲存並沒有因此止步不前。
長江儲存在不斷攻克技術難關的過程中，積累了豐富的技術經驗和實力。
如今的長江儲存已經成為全球儲存行業的重要參與者，擁有更加強大的核心技術。
被打壓的長江儲存，100%自研的QLC芯片，再次封神了!
2023年9月22日，長江儲存在官網釋出公告，正式推出0.1版本的更新。
與此同步，長江儲存釋出了一系列重要更新，包括新型QLC 3D NAND快閃記憶體「X3-6070」的產品說明書。
據悉，這是長江儲存繼2022年釋出「X3-4D」之後的又一重要更新。
長江儲存在公告中指出，新款QLC 3D NAND快閃記憶體「X3-6070」具有顯著的IO介面優勢，速度達到了2400MT/s。
這一速度較上一代的1600MT/s大幅提升了50%，展現出非常強大的技術實力和創新能力。
儲存產品的設計必須在穩定性和速度之間取得很好的結合，否則將會大幅降低使用者體驗。
采用了Longan先進技術的第二代QLC 3D NAND快閃記憶體產品在這方面取得了顯著提升。
在讀寫速度方面，新款產品的讀速度達到了1200MB/s，寫速度則達到了1100MB/s。
這一速度提升非常明顯，使得使用者在儲存和讀寫數據時能夠更加高效地完成任務。
相比上一代產品，新款「X3-6070」 在讀寫速度上提升了近100%。
不僅如此，新款產品還在P/E擦寫次數方面實作了革命性的進步。
P/E擦寫次數是儲存產品的一個重要效能指標，它指的是快閃記憶體能夠承受的寫入和擦除的次數。
這個次數越高，意味著產品的使用壽命越長，更加耐用。
上一代產品的P/E擦寫次數為1000次，而新款「X3-6070」的P/E擦寫次數高達4000次。
這一提升十分突出，是上一代的4倍。
在使用壽命方面，新款產品可以滿足使用者更長期的需求，顯著減少了更換頻率。
隨著儲存技術的不斷發展，NAND產業也在不斷推陳出新，推出更高層次的儲存產品。
長江儲存如今釋出的新一代產品就是在這一趨勢下的結果。
這一產品的推出，不僅展示了長江儲存在技術創新方面的能力，更加突顯了中國在NAND產業領域的領先地位。
和長江儲存不同的是，Western Digital的QLC 3D NAND快閃記憶體要晚上一點推出。
這款QLC 3D NAND快閃記憶體是Western Digital與中國長江儲存共同研發的新一代產品。
重磅來襲，快閃記憶體界的新勢力!
長期以來，NAND產業一直處於國際巨頭的壟斷之中。
然而，隨著長江儲存的崛起，國內NAND產業迎來了難得的機會。
長江儲存不僅具有技術先進性和未來發展潛力，更為國記憶體儲行業帶來了積極的推動作用。
長江儲存的成功激勵了更多國內企業加大科技創新投入，並將自主研發作為核心發展戰略。
長江儲存在技術實力和經驗積累方面領先全球同行，其新一代QLC產品的推出讓人們對未來儲存技術的發展充滿期待。
長江儲存的不斷突破和創新，不僅為國記憶體儲行業註入了強大動能，也為中國科技領域的自主創新提供了堅實的基礎。
伴隨著市場需求的日益增長，儲存產品的技術創新成為行業發展的關鍵。
隨著3D NAND技術的不斷發展，儲存產品的效能和穩定性不斷提高。
3D NAND技術作為一種新興的快閃記憶體技術，具有更高的儲存密度和更快的讀寫速度，是未來儲存技術發展的重要方向。
長江儲存在這一領域的領先地位無疑將為中國科技行業的發展提供強大支持，並推動國記憶體儲行業的快速崛起。
在儲存行業競爭日益激烈的背景下，儲存產品的效能和可靠性將直接影響企業的市場競爭力。
長江儲存的新一代QLC產品憑借其卓越的效能和可靠性，無疑將成為眾多企業的首選。
此外，快閃記憶體作為一種新興的儲存技術，憑借其高速讀寫效能和高儲存密度，在各個領域得到了廣泛套用。
快閃記憶體的廣泛套用不僅推動了儲存行業的發展，也為中國科技行業註入了新的活力。
核心技術的掌握與創新。
長江儲存的成功不僅體現在儲存產品的效能和技術上，更體現在其核心技術的掌握和創新上。
作為國內NAND產業的領軍者，長江儲存不斷攻克技術難關，積累了豐富的技術經驗。
核心技術的掌握將使長江儲存在市場競爭中占據更大的優勢。
與此同時，長江儲存在核心技術的創新方面也不斷取得突破，不僅提升了儲存產品的效能，更推動了儲存技術的發展。
除了掌握核心技術，長江儲存還註重技術創新，致力於推動儲存技術的發展。
隨著儲存技術的不斷演進，新一代QLC產品的推出不僅是技術創新的結果，更是長江儲存對於市場需求的敏銳把握。
長江儲存將不斷引領儲存技術的發展，為使用者提供更高效能的儲存產品。
結語
長江儲存的成功經驗對中國科技行業有著重要的借鑒意義。
在科技創新上，中國應加大投入力度，加速核心技術的研發和突破。
國家應更加支持科技企業，保護其核心技術的安全性和完整性，推動自主創新的發展。
長江儲存在全球NAND市場的成功，不僅為我們提供了信心，也為我們指明了方向。
在面臨外部壓力時，我們應堅持自主研發，持續推進技術創新，這樣才能在科技競爭中立於不敗之地。
長江儲存的成功，不僅是中國科技行業的一次重大突破，更是中國自主研發的一次巨大的成功經驗。
在未來，我們將繼續期待長江儲存在儲存技術領域不斷取得新的突破，為中國科技行業的發展註入新的動力。
