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三星取得半導體器件專利,提供一種新型的半導體器件

2024-02-12科技

金融界2024年2月10日訊息,據國家智慧財產權局公告,三星電子株式會社取得一項名為「半導體器件「的專利,授權公告號CN109003975B,申請日期為2018年5月。

專利摘要顯示,本發明提供一種半導體器件。所述半導體器件包括:第一鰭型圖案及第二鰭型圖案,分別沿第一方向在襯底上延伸;第一柵極結構及第二柵極結構,彼此間隔開並在第一鰭型圖案及第二鰭型圖案上在與第一方向相交的第二方向上延伸;以及共享外延圖案,在第一柵極結構與第二柵極結構之間連線第一鰭型圖案與第二鰭型圖案,其中所述共享外延圖案的上表麵包括:第一共享斜坡及第二共享斜坡,連線第一柵極結構與第二柵極結構;第三共享斜坡,接觸第一柵極結構並連線第一共享斜坡與第二共享斜坡;以及第四共享斜坡,接觸第二柵極結構並連線第一共享斜坡與第二共享斜坡。

本文源自金融界