2024達沃斯論壇上，英特爾CEO季辛吉表示： 在美日荷的聯合限制之下，中國與全球頂尖晶圓廠的技術差距為10年，未來全球50%的芯片將由美國企業制造。
季辛吉稱：由於芯片產業政策原因，導致芯片制造業集中在亞洲國家，而美國為了提升本土的芯片制造業實力，推出了【芯片與科學法案】，試圖改變這一被動局面。
該法案計劃提供527億美元的補貼，以吸引各國芯片產業轉移至美國，同時限制接受補貼的芯片企業在中國投資。其中，392億美元直接用於芯片產能的擴建。
根據美國媒體的報道，英特爾、美光、德州儀器、三星、台積電分別獲得32%、21%、14%、13%、10%的芯片補貼，這幾大企業占了90%，剩余10%分給其他企業。
如果按照這個分配比例，英特爾將拿到168億美元左右，美光拿到111億美元左右，德州儀器分到74億美元，三星分到69億美元，而台積電分到53億美元。
看來，美國的芯片法案還是向著美國本土企業，三星、台積電這些企業到底只是幹兒子啊。
2023年，美國、日本、荷蘭相繼出台了半導體裝置出口限制政策，在原來限制EUV裝置的基礎上，又增加部份浸潤式DUV裝置。
簡單來說，就是限制用於制造14nm以下邏輯芯片的裝置、16nm DRAM芯片的裝置、128層NAND Flash的裝置，這些裝置的出口，必須要拿到出口授權證。
裝置的限制，導致中國芯片只能制造14nm、7nm芯片，而台積電、三星、英特爾則開始向3nm、2nm甚至更精密的芯片進軍，不出意外的話，台積電的2奈米芯片將套用於2025年上市的iPhone 17。
那麽中國芯片企業呢？真的如季辛吉所說，在技術上落後10年嗎？
中國芯片技術真的落後10年嗎？
芯片技術涉及的面非常廣，覆蓋設計、制造、封裝、EDA工具、半導體裝置、半導體材料等。
如果把中國芯片比作一個木桶，而每一個環節比作是木桶上的一塊木板的話，結果就會如下所示：
我們稱之為木桶原理，也就是說木桶能夠裝多少水，不是由最長的木板決定，而是由最短的那塊板決定的。
舉個最簡單的例子，華為能夠設計出3nm手機SoC，但事實上華為手機搭載著最先進的SoC仍然是幾年前的麒麟9000，采用的是台積電5nm制造工藝。
而純國產打造的是麒麟9000S，工藝在7nm左右，就這還是在使用進口裝置的前提下。
造成這種尷尬局面的原因， 就是因為我們在半導體裝置方面的落後，尤其是光刻機方面。
整個芯片制造需要幾十種裝置，最為核心的大約有9種，分別為 光刻機、蝕刻機、離子註入機、CVD（化學氣相沈積）、PVD（物理氣相沈積）、機械拋光機、金屬蒸發裝置、清洗機、檢測機。
光刻機方面 ，目前實作量產的是上海微電子的90nm光刻機，多次光刻後可以制造55nm芯片，與世界最先進的3nm差距非常大。
刻蝕機方面 ，國產裝置具備一定的優勢，中微半導體公司的刻蝕機已經達到了5nm水平，並且成功進入台積電的產業鏈。
目前正在攻關3nm技術。
但是儲存芯片企業更願意進口泛林集團的裝置，畢竟因為它采用了最新的電刻技術，可以刻蝕出更多的層數。
離子註入機方面 ，中電科已經實作了28nm工藝制程全覆蓋，可用於28nm邏輯裝置、記憶體件、功率器件、傳感器等的制造，勉強算是打破了西方的壟斷。
CVD、PVD方面 ，國內企業北方華創、拓荊科技、上海盛美也實作了突破，整體替代率達到了13%。
機械拋光機， 國內的代表為華海清科，整體替代率為20%左右。
清洗機， 國內代表為上海盛美、致純科技，整體替代率為50%。
檢測機方面 ，國內有睿勵科學、精測電子、和禦渡，整體替代率達到了9%。
也就是說，九大核心裝置方面，我們都實作了國產化，但是精密程度參差不齊，表現最拉胯的依然是光刻機。
光刻機號稱工業皇冠上的明珠，是芯片制造裝置核心中的核心，使用率達到了24%。但是， 目前光刻機被荷蘭ASML壟斷了。
最頂級的新型高數值孔徑（High NA EUV）的極紫外光刻機，被ASML100%壟斷，頂級的EUV光刻機也被ASML壟斷。
先進的浸潤式DUV光刻機市場份額達到了95%左右。
那麽國產光刻機什麽時候才能達到ASML的水平呢？短期真的很難。
我們以EUV光刻機為例，近10萬個零部件，3000個精密軸承，2000條線纜，來自全球3000多家供應商，荷蘭本土供應商占比32%左右，北美供應商為占比27%，亞洲供應商占比27%；歐洲供應商占比14%左右。
中國大陸供應商比重非常小，而且提供的都是一些無關緊要的裝置，幾乎可以忽略不計。
這種情況下，我們無法切斷ASML的技術和裝置升級，只能快速提升國產配件廠商的技術水平。
目前來看， 初步做到了28nm核心部件的替代。
光源 由北京科益虹源打造，以準分子雷射器為基礎，得到579nm基頻光，穿過非線性晶體，獲得289.5nm的倍頻雷射，進一步得到193nm光源。
雙工作台 由清華大學和華卓精科共同打造，可用於28nm光刻機。
浸沒系統 由浙江啟爾機電打造，溫度穩定性誤差達到了0.001度，僅次於ASML和日本尼康，符合國際先進水準，可以滿足28nm光刻技術。
光學鏡片： 由中科院長春光機所制造，工藝方面達到了28nm光刻機的要求，但與德國蔡司差距巨大。
核心零部件攻克了，就意味著國產28nm光刻機不遠了。
但是，ASML第一台浸潤式光刻機是2004年制造出來的，如果僅從時間節點看的話，差距達到了20年。
而ASML的第一台EUV光刻機，是在2014年釋出的，距今也已經有10年時間了。
如果從我們的最短板的光刻機來看的話，差距的確達到了10年以上，也就是說英特爾CEO季辛吉說的是對的。
但是， 這個10年，是中國一家以自己最大的短板，對全球最領先的技術 ，看起來很不公平，但世界就是如此。
未來50%的芯片將由美國制造？
季辛吉認為，未來全球50%的芯片都將由美國晶圓廠制造，這可能嗎？
受益於美國【芯片與科學法案】527億美元的補貼，台積電、三星、英特爾、美光等，將會加大在美國擴產的力度。
比較有名的，就是台積電投資400億美元在美國亞利桑那州建造兩座晶圓廠，一座為5nm晶圓廠，另一座為3nm。
原本計劃2024年投產，但現實恐怕2025年都未必能實作。
原因很多，主要包括：1、基礎設施落後，短期內無法滿足投產需求；2、美國當地沒有熟練的技術工人，去其他地方招聘，又受到美國工會阻攔；3、美國工人太難管理；4、補貼不到位。
台積電就是最好的例子，三星去建廠只會更難，甚至英特爾、美光這些本土企業都不會順利。技術、裝置上沒問題，但實際操作起來阻力重重。
反觀我們國產芯片，擁有最好的基礎設施，最優秀的技術工人，補貼也不存在問題。唯一的難題就是缺少半導體裝置。
好在國內芯片企業在去年瘋狂囤購了大量的半導體裝置，完全可以滿足未來幾年的需求。
分析機構預測，2023年中國芯片產能為760萬片/月，預計2024年新增18個計畫，產能將達到860萬片/月，未來5年實作翻番，達到1500萬片/月。
5年時間，國產28nm光刻機完全能夠實作量產、技術升業配套，國產7nm生產線打磨完畢，依然會留住更多的芯片代工份額。
而美國則需要徹底改變他們的工作態度，讓一線的技術工人，甚至整個國家「卷」起來，才能夠將芯片產能遷移至美國本土。
996，每天工作12小時，周末輪班，美國工人能做到嗎？顯然不能。
為此，英特爾計劃采用 AI系統代工廠，來引領半導體的未來之路，但是美國工會不是吃素的，取代美國工人將會遭到巨大的反噬。
總的來說，中國芯片技術落後是不爭的事實，我們要坦然接受，至於落後多少年，其實並不重要，因為未來中國芯片將成為世界不可或缺的重要一環。
至於美國制造全球50%的芯片，姑且當個笑話看看得了。因為習慣了咖啡、旅遊的美國工人，寧願走上街頭罷工，也不會在工廠加班。
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