據opengovasia網 10月19日報道 ，印度科學技術部DST下屬機構尼赫魯科學研究中心（JNCASR）的研究人員對ScN限制半導體中電子遷移率的機制有了新的認識，在半導體行業取得了重大突破。
由副教授Bivas Saha 的帶領下研究人員在對未來最有希望的半導體候選材料氮化鈧(ScN)的研究中，透過理論分析和實驗驗證相結合，發現阻礙電子流動遷移的主要散射機制。研究發現電子與縱向光學聲子模式之間的交互作用（通常稱為弗洛瑞希交互作用）為 ScN 的電子遷移率設定了固有的上限；另外ScN材料中游離雜質和晶界散射顯著降低了整體電子遷移率。研究人員建議，提高純度不含雜質和缺陷的單晶 ScN 可以顯著提高電子遷移率。
在解決已確定的散射機制就可以設計出具有更高電子遷移率的 ScN 材料，使其適用於包括熱電裝置、神經形態計算、高遷移率電子晶體管和肖特基二極體等各種高效能半導體套用。
該研究成果發表在【奈米快報】上，標誌著在尋求更高效的電子裝置方面取得了重大進展。
（編譯：天容）
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