前言
自氮化鎵半導體材料被正式寫入「十四五規劃」中，氮化鎵產業獲得國家層面的大力扶持。氮化鎵屬於第三代半導體材料，其執行速度比傳統矽（Si）技術加快了二十倍，並且能夠實作高出三倍的功率，用於尖端快速充電器產品時，可以實作遠遠超過現有產品的效能，在尺寸相同的情況下，輸出功率提高了三倍。
氮化鎵新技術套用領域廣闊，覆蓋5G通訊、人工智慧、自動駕駛、數據中心、快充等等，這其中快充市場發展最為迅猛，成為先進技術普惠大眾的一個標桿套用，可謂是人人都能享受到新技術從實驗室走向市場的便利；而快充出貨量、需求量龐大，也反哺了氮化鎵技術的不斷叠代。快充與氮化鎵，堪稱天生一對。
合封氮化鎵
充電頭網對已在A股上市的多家電源芯片公司推出的合封氮化鎵進行匯總，這些方案內建高壓高效能氮化鎵，該方案集當前行業最新控制技術、器件技術、功率封裝技術之大成，進一步最佳化快充方案的待機功耗、市電保護、功率密度、轉換效率、輸出電壓紋波等關鍵指標，實作技術降本！
詳情已整理成上表所示，排名不分先後，按企業英文首字母排序。
BPS晶豐明源（股票程式碼：688368）
晶豐明源BP83223
BP83223 是一款高 PF、原邊反饋、反激恒壓控制芯片。芯片內部整合了 650 V 高壓 GaN 功率管、高壓啟動電路和輸入電壓采樣電路，只需要很少的外圍器件就可以實作高精度恒壓輸出、高功率因數和低電流諧波。
BP83223 采用 Ton 時間控制機制，內建了 PF 增強控制演算法，可輕松滿足輕載下的新 ErP 分次電流諧波標準。準諧振工作模式（BCM 和 DCM）在谷底開通功率管，可實作更高的效率和較優的 EMI 效能。BP83223 內建了動態加速模組，能有效地改善系統對負載的響應速度，提供穩定的輸出電壓效能。
BP83223 采用了頻率折返控制技術，系統在較大負載時工作於 BCM 模式，隨著負載減小進入 DCM 模式，同時降低開關頻率，有利於提高輕載效率。
BP83223 內建多種保護，包括逐周期限流、輸出短路保護、輸出過壓保護、次級整流管短路保護、過載保護、VCC 過壓/欠壓保護、輸入欠壓保護、以及過溫保護等。BP83223 采用 ESOP-10 封裝，具備較好的散熱效能。
晶豐明源BP87625
BP87625 是一款套用於 AC/DC 反激變換器的原邊驅動開關，內建 650V GaN，整合高壓自供電，整合 VCC 電容，適用於全電壓輸入33W 輸出雙繞組變壓器的反激變換器套用。
BP87625 支持自適應 COT 控制方式，可工作於 CCM 或 DCM工作模式。接收和解調配對的副邊控制器（BP433BX）透過磁耦隔離器（BP818）發送到原邊的脈沖訊號，控制原邊功率管的開通 ，從而實作副邊控制。超低的工作電流使得BP87625 可以直接從高壓直流供電，省去了輔助繞組、整流二極體和外接VCC電容，外圍電路⾮常簡潔，⾮常適合寬輸出電壓範圍的套用。同時滿足待機功耗小於 50mW 和六級能效標準。
BP87625 采用頻率調變技術，可以達到優異的 EMI 效能。BP87625 內建多種保護，包括逐周期限流、輸出短路保護、CS 引腳開路保護、次級整流管開路保護、反饋環開路保護，過溫保護等，以及較低的輸出短路功耗使系統更加安全可靠。BP87625 采用 ESOP-5 封裝。
Chipown芯朋微（股票程式碼：688508）
芯朋微PN8783
芯朋微PN8783系列有兩種型號，分別是PN8783EB-A1以及PN8783EB-B1，PN8783EB-A1內部整合700V/165mΩ GaN FET，適用於65W功率套用；而PN8783EB-B1內部整合700V/270mΩ GaN FET，適用於45W功率套用。
這是一款專用於高效能的快速充電開關電源的QR-Lock初級控制器，最高支持500kHz工作頻率，可以有效減小變壓器及輸出電容體積，待機功耗小於55mW，典型轉換效率大於93%，可顯著提升充電器功率密度。
PN8783內部整合電流模式控制器，采用了特有的多模式調變技術和特殊器件低功耗結構技術，可根據輸入電壓、輸出電壓和負載自適應切換OR-Lock Mode、PFM和Burst Mode，實作了全負載範圍內的高效率和低待機功耗，避免了開關變換器進入CCM模式工作，從而降低了次級整流管的電壓應力。
芯朋微PN8783采用SOP10/PP封裝工藝，環路高度穩定，進口替換的適配度更高，適用於手機充電器、充電介面卡等領域。
芯朋微PN8782
芯朋微PN8782系列有兩種型號，分別是PN8782SX-A1以及PN8782SX-B1，PN8782SX-A1內部整合700V/470mΩ GaN FET，適用於30W功率套用；而PN8782SX-B1內部整合700V/1000mΩ GaN FET，適用於25W功率套用。
芯朋微PN8782是一款內建高壓GaN和高壓啟動電路的高頻準諧振AC-DC轉換器芯片，可根據輸入電壓、輸出電壓和負載自適應切換模式，實作了全負載範圍內的高效率和低功耗，同時避免了開關變換器進入CCM模式工作，降低次級整流管的電壓應力。頻率調變技術和Soft-Driver技術充分保證系統良好的EMI表現。
芯朋微PN8782空載待機功耗小於55mW，並內建多種保護機制，采用SOP7/PP封裝，適用於手機充電器等領域。
JOULWATT傑華特（股票程式碼：688141）
傑華特JW1565J
JW1565J 是一款整合 GaN 的隔離離線反激 PWM 控制器，具有準諧振（QR）操作特性。QR 控制透過減少開關損耗提高效率，並透過自然頻率變化最佳化 EMI 效能。內部的最大頻率限制功能克服了 QR 反激轉換器的固有缺點。
JW1565J內部整合高壓啟動和X電容放電功能，芯片內部整合700V耐壓，165mΩ氮化鎵開關管。
JW1565J 包含一個高壓引腳用於啟動，以消除傳統的啟動電阻並節省待機模式的能耗。它可以符合最嚴格的效率法規。此外，當交流輸入被移除時，高壓引腳用於 X 電容放電，這有助於減少 X 電容放電損耗，實作極低的待機功耗。JW1565J 采用 6mm*8mm VDFN 封裝。高度整合的設計提供了易於使用、低元件數和高效率的隔離電源傳輸解決方案。
傑華特JW1568K
傑華特JW1568K是一顆氮化鎵半橋芯片，芯片整合了一個門極驅動器和兩個增強模式的GaN晶體管，使其在設計上更加簡化，可大大降低系統復雜度。整合的功率GaN器件具有220mΩ的導通電阻和650V耐壓，嵌入式柵極驅動器的高端部份可以透過整合的自舉二極體輕松供電。
JW1568K具有較低的靜態電流與適應廣泛的Vcc電壓範圍，並可確保內部上下管驅動匹配的準確性，有助於提高系統的效能和穩定性。整合的高側Bootstrap簡化了設計，支持高頻操作，最高可達2MHz，在高效能套用中表現出色。
JW1568K 具有對上下驅動部份的欠壓釘選（UVLO）保護，防止電源開關在低效率或危險條件下執行。JW1568K 采用 6mm*8mm QFN 封裝。高度整合的設計提供了易於使用、低元件數和高效率的隔離電源傳輸解決方案。
傑華特JW15156D
JW15156D 是一款整合 GaN 的隔離離線反激轉換器，具有準諧振（QR）操作特性。QR 控制透過減少開關損耗提高效率，並透過自然頻率變化改善 EMI 效能。內部頻率限制功能用於克服 QR 反激轉換器的固有缺點。
JW15156D 包含一個高壓引腳用於啟動，以消除傳統的啟動電阻並節省待機模式的能耗。JW15156D 采用 PVDFN5*6-8 封裝。高度整合的設計提供了易於使用、低元件數和高效率的隔離電源傳輸解決方案。
傑華特JW15156E
JW15156E 是一款整合 GaN 的隔離離線反激轉換器，具有準諧振（QR）操作特性。QR 控制透過減少開關損耗提高效率，並透過自然頻率變化改善 EMI 效能。內部頻率限制功能用於克服 QR 反激轉換器的固有缺點。
JW15156E 包含一個高壓引腳用於啟動，以消除傳統的啟動電阻並節省待機模式的能耗。JW15156E 采用 PVDFN5*6-8 封裝。高度整合的設計提供了易於使用、低元件數和高效率的隔離電源傳輸解決方案。
傑華特JW15158AS
JW15158AS 是一款整合 GaN 的隔離離線反激轉換器，具有準諧振（QR）操作特性。QR 控制透過減少開關損耗提高效率，並透過自然頻率變化改善 EMI 效能，同時內部的最大頻率限制功能克服了 QR 反激轉換器的固有缺點。
JW15158AS 在不同的輸入和負載條件下結合 PWM 和 PFM 控制，以實作最高的平均效率。它能夠符合最嚴格的效率法規。
JW15158AS 包含一個高壓引腳用於啟動，以消除傳統的啟動電阻並節省待機模式的能耗。JW15158AS 采用 HSOP-7 封裝。高度整合的設計提供了易於使用、低元件數和高效率的隔離電源傳輸解決方案。
傑華特JW15158B
JW15158B 是一款整合 GaN 的隔離離線反激轉換器，具有準諧振（QR）操作特性。QR 控制透過減少開關損耗提高效率，並透過自然頻率變化改善 EMI 效能，同時內部的最大頻率限制功能克服了 QR 反激轉換器的固有缺點。
JW15158B 在不同的輸入和負載條件下結合 PWM 和 PFM 控制，以實作最高的平均效率。它能夠符合最嚴格的效率法規。
JW15158B 包含一個高壓引腳用於啟動，以消除傳統的啟動電阻並節省待機模式的能耗。JW15158B 采用 HSOP-7 封裝。高度整合的設計提供了易於使用、低元件數和高效率的隔離電源傳輸解決方案。
傑華特JW15158D
JW15158D 是一款整合 GaN 的隔離離線反激轉換器，具有準諧振（QR）操作特性。QR 控制透過減少開關損耗提高效率，並透過自然頻率變化改善 EMI 效能，同時內部的最大頻率限制功能克服了 QR 反激轉換器的固有缺點。
JW15158D 在不同的輸入和負載條件下結合 PWM 和 PFM 控制，以實作最高的平均效率。它能夠符合最嚴格的效率法規。
JW15158D 包含一個高壓引腳用於啟動，以消除傳統的啟動電阻並節省待機模式的能耗。JW15158D 采用 HSOP-7 封裝。高度整合的設計提供了易於使用、低元件數和高效率的隔離電源傳輸解決方案。
傑華特JW15158I
JW15158I 是一款整合 GaN 的隔離離線反激轉換器，具有準諧振（QR）操作特性。QR 控制透過減少開關損耗提高效率，並透過自然頻率變化改善 EMI 效能。內部頻率限制功能用於克服 QR 反激轉換器的固有缺點。
JW15158I 包含一個高壓引腳用於啟動，以消除傳統的啟動電阻並節省待機模式的能耗。此外，當交流輸入被移除時，高壓引腳用於 X 電容放電，這有助於減少 X 電容放電損耗，實作極低的待機功耗。
JW15158I 采用 ESOP10 封裝。高度整合的設計提供了易於使用、低元件數和高效率的隔離電源傳輸解決方案。
傑華特JW15158K
JW15158K 是一款整合 GaN 的隔離離線反激轉換器，具有準諧振（QR）操作特性。QR 控制透過減少開關損耗提高效率，並透過自然頻率變化改善 EMI 效能。內部頻率限制功能用於克服 QR 反激轉換器的固有缺點。
JW15158K 包含一個高壓引腳用於啟動，以消除傳統的啟動電阻並節省待機模式的能耗。此外，當交流輸入被移除時，高壓引腳用於 X 電容放電，這有助於減少 X 電容放電損耗，實作極低的待機功耗。
JW15158K 采用 ESOP10 封裝。高度整合的設計提供了易於使用、低元件數和高效率的隔離電源傳輸解決方案。
Kiwi Instruments 必易微（股票程式碼：688045）
必易微KP2208X
必易微KP22080是一顆內部整合增強型氮化鎵開關管的氮化鎵合封芯片，芯片內部整合高壓啟動電路，具備超低啟動和工作電流，待機功耗低於30mW。
KP22080芯片具備130/220KHz兩檔工作頻率可選，支持全範圍準諧振執行。芯片整合峰值電流抖動功能和驅動電流配置，用於最佳化系統EMI效能。
芯片內部還整合升壓供電，適用於PD快充寬範圍輸出套用。芯片內建供電欠壓/過壓保護，輸入欠壓保護，輸出過壓保護，逐周期電流限制，異常過流保護，過載保護，輸出過流保護，過熱保護，電流采樣電阻開路保護。芯片采用HSOP-7封裝，具有良好的散熱效能。
必易微KP2208XB
KP2208XB 是一款整合 E-GaN 的高頻高效能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片整合高壓啟動電路可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實作小於30mw 的超低待機功耗。
KP2208XB 的工作頻率最高可達220kHz，可全範圍工作在準諧振模式。芯片整合峰值電流抖動功能和驅動電流配置功能，可極大的最佳化系統 EMI效能。
KP2208XB 整合恒功率控制與主動降功率控制功能在恒功率區間，透過控制輸出電流隨輸出電壓變化實作恒功率功能。外接溫度檢測環境溫度，當溫度過高主動降功率以降低系統溫度，保證系統穩定可靠工作。
KP2208XB 整合有完備的保護功能，包括:VDD欠壓保護(UVLO)、VDD 過壓保護(VDD OVP)、輸入欠壓保護(BOP)、輸出過壓保護(OVP)、輸出欠壓保護(UVP)、逐周期電流限制(OCP)、異常過流保護(AOCP)、內建過熱保護(OTP)、前沿消隱(LEB)、CS 管腳開路保護等。
必易微KP2208XH
KP2208XH是一款整合E-GaN 的高頻高效能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片整合高壓啟動電路可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實作小於30mW 的超低待機功耗。
KP2208XH 的工作頻率最高可達 220kHz，可全範圍工作在準諧振模式。芯片整合峰值電流抖動功能和驅動電流配置功能，可極大的最佳化系統 EMI效能。芯片內建 Boost 供電電路，非常適用於寬輸出電壓的套用場景。
KP2208XH 整合有完備的保護功能，包括:VDD欠壓保護(UVLO)、VDD 過壓保護(VDD OVP)、輸入過壓保護(LOVP)、輸入欠壓保護(BOP)、輸出過壓保護(OVP)、輸出欠壓保護(DEM UVP)、逐周期電流限制(OCP)、異常過流保護(AOCP)、過載保護(OLP)、內建過熱保護(OTP)、前沿消隱(LEB)、CS管腳開路保護等。
必易微KP22064/6
必易微推出了兩款采用反激拓撲的氮化鎵合封芯片KP22064和KP22066，具有極低的待機功耗。高整合度的合封芯片可以減少充電器外圍器件數量，能夠實作高效率，小體積的開關電源設計。
KP22064和KP22066均內建650V氮化鎵開關管，其中兩款器件內建的氮化鎵開關管導阻不同，支持的功率也不同，KP22064內建365mΩ氮化鎵開關管，支持30-45W輸出功率。KP22066內建165mΩ氮化鎵開關管，支持45-100W輸出功率。
值得一提的是，KP2206X合封芯片還支持雙繞組為芯片供電，具有兩個供電引腳，可以根據輸出電壓，切換供電繞組抽頭。當輸出電壓範圍寬且輸出電壓較高時，芯片可自動切換成低壓繞組供電，降低芯片損耗。采用必易微專有的DFN8*8封裝，將功率走線和控制走線分離，並采用大面積散熱PAD，有效降低溫升，具有優秀的散熱效能。
必易微KP2206X(A)
KP2206X(A)是一款整合 E-GaN 的高頻高效能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片整合驅動調節功能，可調節 GaN FET 導通時驅動速度，最佳化系統EMI效能。
KP2206X(A)的工作頻率最高可達 500kHz，可全範圍工作在準諧振模式。芯片支持超寬VDD供電範圍9V-112V。芯片整合高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實作小於30mW的超低待機功耗。
KP2206X(A)整合有完備的保護功能，包括:VDD欠壓保護(UVLO)、VDD 過壓保護(VDD OVP)、輸入欠壓保護 (BOP)、輸入過壓保護(LOVP)、輸出過壓保護(OVP)、逐周期電流限制(OCP)、異常過流保護(AOCP)、過載保護(0LP)、輸出過流保護(SOCP)、內建過熱保護(OTP)、CS 管腳開路保護等。
必易微KP2206XA
KP2206XA是一款整合650V GaN FET的高頻高效能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片整合驅動調節功能，可調節 GaN FET 導通時驅動速度，最佳化系統 EMI效能。
KP2206XA的工作頻率最高可達500kHz，可全範圍工作在準諧振模式。芯片支持超寬 VDD 供電範圍 9V-112V。芯片整合高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實作小於 30mW 的超低待機功耗。
KP2206XA整合有完備的保護功能，包括:VDD欠壓保護(UVLO)、VDD 過壓保護 (VDD OVP)、輸入欠壓保護(BOP)、輸入過壓保護(LOVP)、輸出過壓保護(OVP)、逐周期電流限制(OCP)、異常過流保護(AOCP)、過載保護(0LP)、輸出過流保護(SOCP)、內建過熱保護(OTP)、CS 管腳開路保護家
KP2206XA采用小體積的 DFN8x8mm封裝，適用於高頻高功率密度的寬輸入/輸出範圍交直流轉換器設計。
SOUTHCHIP 南芯（股票程式碼：688484）
南芯SC3056A
南芯SC3056A是一顆高頻準諧振反激轉換器，具有高能效和高可靠性，內部整合650V耐壓的開關管，可輕松驅駕30W~40W輸出功率範圍。
SC3056A工作在QR和DCM模式下，谷底開通以提高效率；提供自適應的頻率折返用於實作全負載範圍內的高效率；無負載時，芯片以突發模式執行，降低待機功耗。轉換器內建高壓啟動電路，可實作超低的待機功耗和超快的啟動速度。同時整合軟啟動電路，以及用於超寬輸出範圍的分段式供電電路。在突發和故障模式下具有超低的工作電流，滿足待機能效要求。
SC3056A最高工作頻率為175KHz，大幅降低磁性器件的體積和成本。全功率範圍具備抖頻功能，用以改善EMI效能。芯片內建過熱保護，供電過壓保護、供電欠壓閉鎖、逐周期電流限制、兩級過流保護、輸出過電壓保護、輸出短路保護和過載保護，提供完善全面的保護功能。
南芯SC3107C
南芯POWERQUARK®系列全整合芯片，型號SC3107C，芯片內建南芯自研的全整合封裝技術，內建高速隔離數位通訊技術，整合次級控制軟開關技術和次級控制主動式同步整流技術，並整合多標準快充協定相容技術。一顆芯片可以實作傳統充電器中原邊控制器+GaN器件+隔離光耦+同步整流控制器和協定芯片五種獨立功能。
南芯POWERQUARK®系列全整合芯片將器件極致整合，減少充電器外圍元件數量，具備開發周期短，產品價效比高的優勢。次級軟開關技術降低了開關損耗，提高了轉換效率，搭配同步整流，提升整體效率，降低散熱要求。並且內建高速數位隔離通訊，無需光耦，可靠性更高。
芯片內部還整合協定功能，支持UFCS融合快充，PD快充以及私有協定客製，滿足主流市場需求。芯片內部整合供電過壓保護，逐周期電流限制，輸出欠壓保護，輸出過壓保護，輸出過電流保護和輸出短路保護。內部還整合軟啟動，最高工作頻率為175KHz。芯片采用SSOP38L封裝，支持65-140W PD快充套用。
南芯SC3057B
SC3057B是一款高頻、準諧振反激PWM變換器，具備700V GaN整合（QR/DCM），可實作高效率和可靠性。該變換器內建了X電容器放電功能以及透過HV引腳的高壓啟動電路。因此，透過HV引腳可以獲得極低的待機功耗和超快的啟動時間。
SC3057B提供了自適應的開關頻率折返功能，以在整個負載範圍內實作更高的效率。它在QR和DCM模式下以谷底開關方式執行，以提高效率。在無負載情況下，IC將以脈沖模式執行以降低功耗。SC3057B具備低啟動電流、快速啟動和低待機功耗等功能。極低的執行電流（350uA）脈沖模式可以顯著降低待機功耗，以符合效率法規要求。
SC3057B提供了全面的保護功能，以防止在異常情況下損壞電路。此外，頻率抖動和智慧驅動功能可最小化噪音並提高EMI效能。SC3057B采用QFN6x8封裝。
南芯SC3057
SC3057合封氮化鎵芯片。南芯SC3057將高效能多模式反激控制器、氮化鎵驅動、氮化鎵開關管、供電和保護等電路整合在一顆散熱增強的QFN6*8封裝內部。透過合封來簡化外部元件數量，並消除傳統驅動走線寄生參數對高頻開關的影響。
南芯SC3057采用了功率走線和控制走線分開的設計，降低高頻開關對控制回路的影響，並透過最佳化的焊盤設計，最佳化充電器走線設計與電氣效能，簡化設計開發。
南芯SC3057內建165mΩ氮化鎵開關管，支持175KHz開關頻率，並支持X電容放電。
南芯SC3056
南芯SC3056是一顆高頻準諧振反激轉換器，具有高能效和高可靠性，源自南芯半導體的SC305x系列。SC3056內部整合650V耐壓的開關管，可輕松驅駕30W~40W輸出功率範圍。
SC3056工作在QR和DCM模式下，谷底開通以提高效率；提供自適應的頻率折返用於實作全負載範圍內的高效率；無負載時，芯片以突發模式執行，降低待機功耗。轉換器內建高壓啟動電路，可實作超低的待機功耗和超快的啟動速度。同時整合軟啟動電路，以及用於超寬輸出範圍的分段式供電電路。在突發和故障模式下具有超低的工作電流，滿足待機能效要求。最高工作頻率為175KHz，大幅降低磁性器件的體積和成本。全功率範圍具備抖頻功能，用以改善EMI效能。
芯片內建過熱保護，供電過壓保護、供電欠壓閉鎖、逐周期電流限制、兩級過流保護、輸出過電壓保護、輸出短路保護和過載保護，提供完善全面的保護功能。
南芯SC3055A
SC3055A是一款高頻率、準諧振反激PWM轉換器，內建了650V GaN（QR/DCM）技術，同時提供了自適應開關頻率折返功能，能夠在整個負載範圍內實作更高的效率。
該轉換器采用QR和DCM工作模式，結合了谷值開關執行，以提高效率。在無負載情況下，IC將切換至突發模式，以降低功耗。SC3055A具備低啟動電流和低待機功耗等功能。突發模式下的極低操作電流（350uA）可顯著減少待機功耗，滿足效率要求。
此轉換器還內建了用於供應VDD電源的段電源電路，特別適用於廣範圍輸出電壓的套用。SC3055A提供全面的保護功能，以防止在異常條件下電路受損。此外，其頻率抖動和智慧驅動功能的特點可以最大程度地減少噪音並提升EMI效能。
南芯SC3055
SC3055是南芯科技高效能高頻QR控制器與GaN功率器件的完美結合，更加利於發揮GaN器件低阻抗、低開關損耗的優良效能；QR工作模式，可支持135kHz開關頻率；提高系統的功率密度，滿足日趨小型化的需求；特有的降頻策略，使得全功率範圍獲得理想的轉換效率。
SC3055內建650V耐壓的氮化鎵開關管，可支持20W~25W套用的套用場景，整合分段式供電，具備完善的保護功能。采用SOP-7封裝，體積小巧，方便工程師制作樣機。這顆芯片可套用於USB PD、QC快充充電器，也可以用於AC-DC介面卡。提升轉換效率，降低發熱。
SC3055采用SOP-7封裝。
南芯SC3054H
SC3054H是一款高頻、準諧振反激PWM變換器，具備650V GaN整合（QR/DCM），可以實作高效率和可靠性。內部提供自適應的開關頻率折返功能，以在整個負載範圍內實作更高的效率。它在QR和DCM模式下以谷底開關方式執行，以提高效率。在無負載情況下，IC將以脈沖模式執行以降低功耗。
SC3054H提供低啟動電流和低待機功耗等功能。極低的執行電流（350uA）脈沖模式可以顯著降低待機功耗，以符合效率法規要求。同時整合了一個用於VDD電源供應的分段電源電路，特別適用於輸出電壓範圍廣泛的套用。
SC3054H提供全面的保護功能，以防止在異常條件下損壞電路。此外，頻率抖動和智慧驅動功能可以最小化噪音並提高EMI效能。SC3054H采用eSOP-7L封裝。
充電頭網總結
氮化鎵作為第三代半導體材料，在技術效能和套用前景方面都表現出了卓越的優勢，尤其是在快充領域的套用，更是顯現出其獨特的價值。以上匯總的新一代合封氮化鎵快充方案，整合了最新的控制技術和功率封裝技術，不僅提升了快充方案的功率密度和轉換效率，還透過多種混合工作模式最佳化了全負載段的效能，進一步降低了待機功耗。多項智慧化保護功能的引入，使得這些方案能夠在各種套用場景中確保安全可靠執行。
氮化鎵技術在不斷創新和叠代，這不僅推動了快充市場的發展，也為各類先進技術的普及奠定了堅實基礎。在國家政策的支持下，氮化鎵產業將迎來更加廣闊的發展空間，為實作技術降本和效能提升提供更多技術支持。隨著氮化鎵技術的進一步成熟和套用範圍的不斷擴充套件，相信將看到更多令人矚目的新成果。
