IT之家 2 月 8 日消息，据日经新闻近日报道，晶圆代工企业力积电计划今年上半年与日企 Power Spin 达成合作，目标 2029 年实现 MRAM 内存量产 。双方的合作中，Power Spin 将提供 MRAM 相关 IP 授权，力积电进行进一步的量产化研发和试产，最终达到量产目标。
据了解，Power Spin 由日本东北大学于 2019 年成立，持有 STT-MRAM 相关技术。
MRAM 内存是一种非易失性内存，其在拥有高速读写性能的同时可在断电下保存数据；而且 MRAM 的耗电量相较现有内存也更少，理论上可低至 1/100。不过 MRAM 也面临多重自身问题：成本过高、耐用性与可靠性仍需进一步验证 。
在生成式 AI 浪潮来袭的今天，数据中心需求大量内存，能耗优异的 MRAM 因此成为密切关注对象，相关需求增加。日经认为，这是力积电找上 Power Spin 合作的重要背景原因。
力积电计划使用在日合资公司的二期生产线生产 MRAM 内存，以推动这一新型内存的普及。该合资公司由力积电与日本 SBI 控股于去年成立，计划总投资 8000 亿日元（IT之家注：约合 388 亿人民币）在日本建设两期生产线，首期将于 2027 年建成投产，二期则预估 2029 年投入使用 。
MRAM 现已成为半导体代工业界的前沿热点：三星之前宣布计划 2026 年量产 8nm 车用 eMRAM；台积电近期也表示下一代 SOT-MRAM 内存研发成功。Ever Spin 首席技术官远藤哲郎称，MRAM 内存市场规模已于 2022 年达到 300 亿日元（约合 14.6 亿人民币）。
