金融界2024年3月28日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为「半导体器件和形成半导体晶体管器件的方法「，授权公告号CN113517227B，申请日期为2021年3月。
专利摘要显示，一种形成半导体晶体管器件的方法。所述方法包括在衬底上方形成鳍形沟道结构，以及在鳍结构的相对端上形成第一源极/漏极外延结构和第二源极/漏极外延结构。所述方法还包括形成围绕鳍结构的金属栅极结构。所述方法还包括翻转并部分地去除衬底以形成背侧覆盖沟槽，同时沿着第一源极/漏极外延结构和第二源极/漏极外延结构的上侧壁保留衬底的下部作为保护间隔件。所述方法还包括在背侧覆盖沟槽中形成背侧介电帽。本申请的实施例还涉及半导体器件。
