中国芯片突破新方向：让7nm芯片性能超越3nm
中国新一轮芯片技术突破：7 nm制程优于3 nm制程
美国现在是中国芯片行业最大的竞争对手。
按照美国的标准，14 nm的锁存逻辑，18 nm的 DRAM,128 nm的 NAND闪速存储器。超过这个标准的设备是不允许出口到中国的。
当然，在美国禁令前，华夏虽然也有进口的，但产能都不会太大，因此某些技术上的突破，例如逻辑集成电路，肯定是不会再用14 nm的。
然而，就现在看来，中国芯的下一步工作，就是要使7 nm制程的能力超过3 nm制程。
不要认为我是在说笑，这是真的。
华为总经理张平安说，5 nm、3 nm、7 nm，我们不可能做得很好，我们不能把技术放在某个环节，而要做的，就是在体系结构方面。
其实他已经说的很明白了， EUV光刻机我们还没有掌握， EUV光刻机的研制也不是一时半会儿能够完成的，更别说5 nm以下的光刻机了。
7 nm制程，已经是我们能做到的极限了。
但是相对于5纳米、3纳米和2纳米，7纳米技术的发展必然会有一定的滞后，所以我们需要从体系结构的角度出发，摒弃传统的滚轧工艺，使7纳米与5纳米、3纳米的技术水平相抗衡。
在体系结构上的革新是什么？一是使用更佳的电晶体架构，如3D、立体等；二是采取了更先进的封装工艺，如层叠式、叠层式、立体式封装等。也可以使用小型晶片工艺，把多个晶片结合起来。也可以采用碳基芯片和光电子芯片等新型材料。
事实上，芯片行业自己也在研究这种技术，但由于当前的制程已经达到了一个临界点，想要进一步减小难度很大，需要通过新的材料和架构等手段，来提高芯片的性能，而不影响芯片的工作状态。
华为之前发布的麒麟9000、麒麟9010就是最好的佐证，尽管它们都不是5纳米，但在性能上却丝毫不输给高通、联发科等5 nm工艺的5 nm芯片。
因此，下一代国产芯片，或许不需要超越5 nm、3 nm、2 nm，但是7 nm已经做到了，剩下的，就只能依靠挖掘了。
而微观进步的工作，既不会被抛弃，也不会立刻死去，而是朝着一个方向前进，互相融合，继续前进。
