4月2日消息， 经过湖北九峰山实验室与华中科技大学联合研究团队的共同努力，该团队在光刻胶技术方面取得了显著进展。他们成功开发了一种 「双非离子型光酸协同增强响应」 的化学放大光刻胶技术，该技术的突破性在于其通过精巧设计的化学结构，利用两种光敏单元，实现了图像形貌和线边缘粗糙度的显著优化。
具体而言，该技术实现了空间图案宽度的标准差值（约为0.05）的极小化，且性能超越了大多数商用光刻胶。
这一技术还满足了半导体大规模生产中对于流程时间和生产效率的严格要求。该技术的成功验证为极紫外线（EUV）光刻胶的研发提供了坚实的技术储备，这对于我国半导体行业的发展具有重要意义。
光刻胶作为集成电路制造过程中的关键材料，其质量和性能直接影响着电路的电性能、产品的成品率及其可靠性。鉴于光刻胶技术研发的难度以及市场对高质量光刻胶的迫切需求，九峰山实验室和华中科技大学的研究成就具有极高的商业应用价值和行业推动力。
在半导体制造业迈向100纳米乃至10纳米以下的先进制程节点时，生产具有高分辨率、优良截面形态和低线边缘粗糙度的光刻图案成为一项普遍挑战。针对这一挑战，我们的研究成果展现了为光刻制造领域指明了清晰的解决方向，并提供了必要的技术基础，以支持极紫外（EUV）光刻胶的后续研发工作。
我们独立研发的光刻胶配方体系，已在生产线上成功完成了初步的工艺验证。同时，我们也全面完成了各项技术性能指标的测试与优化，确保了技术开发到成果应用的无缝衔接，实现了从科研开发到产业实践的完整转化流程。
