今天分享的是AI行业系列深度报告（二）： 【HBM，高带宽特性释放AI硬件性能，AI高景气持续驱动需求高增】 ,（报告出品方：平安证券） 。
精选报告来源：幻影视界
研究报告内容摘要如下
HBM是当前AI时代首选的内存技术
AI时代下高带宽存储需求激增，HBM技术正步入快速发展阶段。HBM（High Bandwidth Memory ，高宽带内存）采用硅 通孔（ TSV）技术将多个DRAM芯片进行堆叠，并与GPU一同进行封装，形成大容量、高位宽的DDR 组合阵列，从而克 服单一封装内的带宽限制。相较于传统DDR内存，HBM 具有高带宽、低功耗、低延时等优势，已成为当前高性能计算、 人工智能等领域的首选内存技术。以英伟达p00 SXM5为例，其集成了6颗HBM3，总容量达到80GB ，内存带宽超 3TB/s，是A100内存带宽的2倍。
三大原厂持续扩充HBM产能，SK海力士位居全球市场份额首位。当前AI高景气不断驱动HBM需求高增，持续推动HBM位元出货量和产值同步增长，根据Yole 预测数据，预计2025年全球HBM位元出货量和行业产值将分别达到17亿GB和199亿美元。竞争格局方面，根据TrendForce 数据，以位元出货量作为统计口径， 2023年全球HBM市场中，SK海力士和三星的市场份额各占47.5%左右，而美光份额约为5%。随着HBM3e的率先推出及放量，预计2024年SK 海力士的市场份额 将增加至52.5%，而三星的市场份额将下降至42.4%。为了满足持续增长的HBM需求，三大原厂纷纷加大资本开支扩建HBM产能，其中，三星和SK 海力士的产 能扩充最为积极，预计到2024年底，三星HBM总产能将达约13万片/月，SK海力士约12万片/月，而美光仅为2万片/ 月。
TSV技术是HBM实现芯片垂直堆叠的核心工艺
HBM加工制造流程主要包括前端晶圆制造加工，以及后端Bumping、Stacking和KGSD 测试环节。其中，相较于平面 DRAM的制造流程，TSV（硅通孔）技术是HBM实现芯片垂直堆叠的核心工艺。
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