日前，全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在九峰山实验室下线。
此项成果使用8寸SOI硅光晶圆键合8寸铌酸锂晶圆，单片集成光电收发功能，
确立了当前世界领先的硅基化合物光电集成技术地位。
同时，也使得新型光芯片得以大规模生产，
展现出难以想象的超低损耗和高带宽，突出了其无可匹敌的综合性能。
电光调制器是将通信设备中的高速电子信号转化为光信号，
应用于大容量光纤传输网络和高速光电信息处理系统中的不可或缺的关键器件。
当前有硅基方案（硅光）、磷化铟方案和铌酸锂方案三种电光调制器制备方案，
其中，传统硅方案没有直接电光系数，转化复杂，
磷化铟电光系数远不如铌酸锂的高。
同时铌酸锂具备传输距离长（长达100公里以上）、容量大（超过100G）
且工艺成熟的优点，
已经在100G/400G相干光通讯网络和超高速数据中心有着广泛的应用。
但是，传统铌酸锂调制器由于原件尺寸较大，难以满足光器件小型化的趋势。
而薄膜铌酸锂调制器在保留铌酸锂调制器原有的性能优势的同时，
带宽进一步扩大；
更小的原件尺寸，使得单位面板传输密度大大提高，
成本方面则有了进一步下降的空间。
预测2024年全球高速相干光调制器出货量将达到200万端口。
按照每个端口平均需要1～1.5个调制器，
若薄膜铌酸锂调制器体渗透率可达50%，对应的市场空间可达82-110亿元。
