根据报道，AMD正在同时开发基于不同晶圆制造工艺节点的"Zen 5"和"Zen 5c" CPU Core Dies（CCDs）。预计即将推出的Ryzen「Granite Ridge」台式机处理器、Fire Range移动处理器和EPYC「Turin」服务器处理器将采用4纳米EUV晶圆制造工艺节点来制造"Zen 5" CCD，这是比目前的5纳米EUV工艺更先进的节点。而"Zen 5c" CCD将采用更先进的3纳米EUV晶圆制造工艺节点。计划于2024年第二季度开始大规模生产，并计划在下半年推出产品。
"Zen 5c"芯片组包含32个核心，分布在两个包含16个核心的CCX中。每个CCX有16个核心，共享32MB的L3缓存。为了将这32个核心和总共64MB的L3缓存封装在一起，AMD可能会选择采用3纳米晶圆制造工艺节点。另一个原因可能是为了在较低电压下增加时钟速度，以提升性能。搭载"Zen 5c"芯片组的EPYC处理器将最多包含六个这样的大型CCD，最大核心数量为192。而常规的"Zen 5" CCD只有一个CCX中的8个核心，共享32MB的L3缓存，并具备增加特殊变体的3D垂直缓存的TSV接口。
AMD的Zen 5 CPU架构将为多个CPU系列提供动力，包括Granite Ridge「Ryzen Desktop」、Strix Point「Ryzen Mobile」和Turin「EPYC Server」。这些芯片将于下个季度进入TSMC的生产线，并在2024年第三季度开始大规模生产。报道还提到了AMD Zen 5「Nirvana」CPU核心和"Prometheus"Zen 5C核心。"Nirvana"核心是标准的Zen 5架构设计，而"Prometheus"核心将专注于客户端和服务器芯片的密集计算领域。有趣的是，报道中提到"Zen 5"的"Nirvana" CCD将采用三星的3纳米工艺节点生产，然而根据之前的报道，"Zen 5"将使用4纳米节点，而"Zen 5c"将使用3纳米工艺。
总体而言，AMD的"Zen 5"和"Zen 5c" CPU Core Dies的开发进展非常令人期待，这将为台式机、移动设备和服务器市场带来更强大的性能和功能。预计这些新产品将在今年问世，为用户提供更好的使用体验。
