在美日荷等国的围堵下，中国芯片产业也出现了三道裂口！
在美日荷的封锁和限制下，中国的芯片产业依然顽强前行，并成功撕开了三道关键口子。
近年来，随着中国芯片技术的飞速发展，中国逐渐威胁到了美国在芯片行业的领导地位。对此，美国迅速采取了针对性的措施，试图遏制中国芯片产业的发展。紧随其后，日本和荷兰也与美国联手，制定了严厉的出口禁令，禁止关键半导体设备和技术流入中国市场。
美国的封锁计划旨在将中国的逻辑芯片技术停留在14nm工艺水平，限制NAND闪存在128层以上的发展，阻碍DRAM内存技术停滞在18nm的节点。此外，美国、日本和荷兰联合推出了一系列禁止向中国出口先进半导体设备的政策，尤其是在光刻机方面，波长低于193nm、分辨率小于45nm的DUV设备被禁止出口，且需要美国政府的许可证。
面对这种严峻的局面，中国当然不可能坐以待毙。中国一方面利用现有的设备，努力突破技术封锁，另一方面积极推动国产设备的研发和生产，替代进口设备，以摆脱对国外设备的依赖。
经过一段时间的努力，尽管中国仍面临来自美日荷的封锁，但已经撕开了三道重要的突破口。这些突破不仅显示出中国芯片产业的韧性，还表明美国的封锁策略并未如预期般奏效。
第一道口子：逻辑芯片的突破
美国试图将中国的逻辑芯片技术锁定在14nm工艺水平，但现实情况远非如此。实际上，中国的技术早已超越14nm工艺。麒麟9000S和麒麟9010芯片的问世便是一个有力的证明。这些芯片不仅展示了中国在技术层面的突破，也打破了美国试图遏制中国芯片发展的目标。可以说，在逻辑芯片领域，中国已经成功突破了美国的封锁。
第二道口子：NAND闪存的进展
美国原本希望将中国的NAND闪存技术停留在128层。然而，长江存储在2022年下半年成功实现了全球首个232层3DNAND闪存的量产，领先于美光和三星等国际巨头。尽管美国后来限制了科磊、应用材料等公司向长江存储提供先进设备，但长江存储依旧持续出货232层堆叠的NAND产品。这不仅表明了中国在技术上的突破，更展示了在设备方面逐步实现国产替代的能力。这一突破进一步削弱了美国的封锁效果。
第三道口子：DRAM内存的崛起
在DRAM内存领域，中国也取得了显著的进展。根据日本分析机构的最新数据，长鑫存储已经跻身全球DRAM市场的第四名。长鑫的晶圆产能从2022年的每月7万片增长到2023年的12万片，预计到今年年底将达到20万片，明年有望增至30万片，保持近50%的年增长率。预计到2025年底，中国在全球DRAM市场的份额将接近16.1%，而美光的份额将下降至17.1%，这意味着两国的份额将不相上下。这一成就标志着中国在DRAM领域的快速崛起，并表明美国的封锁并未能阻止中国的快速发展。
从这三个领域的突破可以看出，美国对中国芯片产业的封锁不仅未能阻碍其发展，反而在一定程度上推动了中国芯片行业的加速前进。许多专家认为，一旦中国的芯片产业成功建立起完整的国产供应链，国内晶圆制造的成本将大幅下降，甚至可能减半。届时，中国的芯片产业很可能会复制显示面板行业的成功路径，快速占领全球市场，最终成为全球芯片的霸主，彻底取代美国的地位。
