在芯片设计、制造和封测的过程中，芯片制造无疑是技术难度最高的一环。
全球少数几家掌握10纳米及以下级别芯片制造技术的公司也仅有台积电、三星、英特尔以及中芯国际。
其它晶圆厂如格芯和联电则早已宣布，不计划进入10纳米以下工艺的竞争。
10纳米以下的先进制造工艺是美国想要严格控制的领域，因为芯片的性能代表了计算能力，而计算能力是科技和经济实力的重要标志。
因此，几年前美国已对中国的芯片产业施加了限制，企图将中国的芯片制造能力限定在14纳米以上，以此确保美国芯片产业的全球领先地位。
在这种背景下，作为中国芯片制造的领头羊，中芯国际面对美国的压力，选择了怎样的策略呢？
当时众多分析猜测中芯或是专注于成熟工艺，或是集中资源冲刺先进工艺，甚至有观点认为中芯会兼顾两者。
现在看来，中芯的选择是正确的，它不仅成为了全球第三大晶圆代工厂，还因订单充裕、先进芯片产能紧张而供不应求。
中芯的策略是，一边扩大成熟工艺芯片的产能，一边也在努力突破先进工艺的限制。
在扩产方面，中芯不断扩建，已有包括中芯上海、中芯天津、中芯深圳、中芯北京、中芯北方、中芯南方、中芯京城以及上海临港、中芯深圳、天津西青等多地芯片制造基地，这些基地涵盖6英寸、8英寸、12英寸等多种工艺线。
这些持续的产能扩张让中芯的营收和晶圆出货量稳步增长，终于在2024年超越了格芯和联电，成为全球第三大晶圆代工厂。
在先进工艺方面，自从14纳米工艺开始，中芯就采用了FinFET晶体管技术，并持续突破，尽管中芯不公开具体的工艺数据，但从麒麟9000S和麒麟9010芯片可以看出，其使用的纳米工艺水平已经非常先进。
中芯的联席CEO也曾表示，目前公司的先进芯片产能已被完全预订，今年内无法再提供更多产能，显示出晶圆的极度短缺。
因此，中芯的战略显然是正确的：发展成熟工艺，扩大产能，提升晶圆产量，帮助国内更多的芯片公司生产芯片，与供应链共同成长，同时也不断发展先进工艺，力求技术突破，最终取得成功！
