5nm芯片破局，美國禁令將成廢紙？
美國人最忌憚的就是中國的科技，那就是14 nm制程，18 nm DRAM,128 nm NAND快閃記憶體。
雖然目前還沒有釋出14 nm制程的手機，但是我們已經了解了麒麟9000以及麒麟9010的制程技術。
我們並不清楚 DRAM到底要用到幾個奈米制程。盡管如此，我們還是成功地處理了232層 NAND快閃記憶體芯片的問題，而那些問題還沒有被公開。
在某些方面，它讓我們少了很多的壓力。
但是我們必須要將5 nm工藝提升到5 nm或者更高的水平，這樣我們就可以擺脫美國的封鎖，讓我們的禁令失效。
資料表明，全球75%以上的半導體都在28 nm以上，低於5 nm的晶片不足2%。
根據業界人士的說法，現在使用5 nm制程的只有手機 Soc、 PC CPU和 GPU，而5 nm以上制程則占到了98%，為該行業奠定了堅實的基礎。
也就是說，一旦5 nm技術成熟，世界上97%的芯片都能實作批次生產，那還有什麽好擔心的？雖然這3%的份額很關鍵，但也不是一定要制造出來的。
盡管4 nm,3 nm和2 nm也是同等重要的，但是5 nm工藝經過一定的工藝最佳化，例如增大晶片的面積，或者采用更小的晶片工藝，可以達到3 nm或者2 nm的水平。
因此，問題來了：5 nm制程能否成功？華為董事長張平安曾經公開說過，3 nm肯定是不行的，7 nm制程我們肯定能做到。
雖然很多人都以為7 nm制程是不可或缺的，但是浸沒式光刻之父 Hayashi表示，5 nm晶片完全可以透過 UV浸沒式光刻來制造。
但是，利用光刻方法制備5 nm的晶片，必須進行多次的曝光，這樣的話，成品率就會非常的低下，而且制造的價格也會非常昂貴，不能進行大規模的工業化。光刻的效果並不好，所以他們得另尋他法，不然他們的專利權就要被搶了。
