4月2日訊息， 經過湖北九峰山實驗室與華中科技大學聯合研究團隊的共同努力，該團隊在光刻膠技術方面取得了顯著進展。他們成功開發了一種 「雙非離子型光酸協同增強響應」 的化學放大光刻膠技術，該技術的突破性在於其透過精巧設計的化學結構，利用兩種光敏單元，實作了影像形貌和線邊緣粗糙度的顯著最佳化。
具體而言，該技術實作了空間圖案寬度的標準差值（約為0.05）的極小化，且效能超越了大多數商用光刻膠。
這一技術還滿足了半導體大規模生產中對於流程時間和生產效率的嚴格要求。該技術的成功驗證為極紫外線（EUV）光刻膠的研發提供了堅實的技術儲備，這對於中國半導體行業的發展具有重要意義。
光刻膠作為集成電路制造過程中的關鍵材料，其質素和效能直接影響著電路的電效能、產品的成品率及其可靠性。鑒於光刻膠技術研發的難度以及市場對高質素光刻膠的迫切需求，九峰山實驗室和華中科技大學的研究成就具有極高的商業套用價值和行業推動力。
在半導體制造業邁向100納米乃至10納米以下的先進制程節點時，生產具有高分辨率、優良截面形態和低線邊緣粗糙度的光刻圖案成為一項普遍挑戰。針對這一挑戰，我們的研究成果展現了為光刻制造領域指明了清晰的解決方向，並提供了必要的技術基礎，以支持極紫外（EUV）光刻膠的後續研發工作。
我們獨立研發的光刻膠配方體系，已在生產線上成功完成了初步的工藝驗證。同時，我們也全面完成了各項技術效能指標的測試與最佳化，確保了技術開發到成果套用的無縫銜接，實作了從科研開發到產業實踐的完整轉化流程。
