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下一代半導體記憶體,迎來新突破!

2024-04-02數碼

研究人員開發了一種新的制造技術,能夠在低溫下生產高質素的氧化膜和有效的圖案化,並制造出非揮發性電阻式隨機存取記憶體。透過克服現有制造技術的缺點並開發具有出色耐用性的記憶體,它有望用於下一代計算系統。

最近,數據密集型計算系統(例如人工智能、大數據和物聯網(IoT)器材)的發展增加了對新一代非揮發性記憶體的需求,這種記憶體具有出色的耐用性、更高的執行速度、且功耗低。電阻式隨機記憶體是記憶體的一種,透過電流改變儲存資訊。

溶液工藝技術作為一種開發電阻式隨機存取記憶體的方法而備受關註,它可以實作大面積的經濟高效制造。然而,它的缺點是只能在高溫下工作,並且形成均勻的圖案具有挑戰性。

該研究小組由電子工程與電腦科學系的Hyuk-jun Kwon教授領導,該研究的第一作者是Bong-ho Jang。

Kwon教授的團隊將燃燒合成技術與溶液工藝相結合,克服了這些缺點。燃燒合成技術利用放熱反應,利用燃燒過程中產生的熱量來合成材料。因此,該技術有助於解決溶液過程的缺點,因為不需要從外部提供高溫。

Kwon教授的團隊將該技術套用於溶液工藝的前體,即使在較低的溫度下,也能透過與紫外線的光化學反應獲得高質素的氧化鋯(ZrO 2 )薄膜和光圖案化效果。

此外,研究團隊還利用該技術生產了電阻式隨機存取記憶體。所制造的電阻式隨機記憶體具有顯著的耐用性,在高溫環境下可耐受超過1,000次迴圈,並保留數據超過100,000秒。

此前,Kwon教授的研究團隊已套用燃燒合成技術在低溫下生產SnO2 薄膜晶體管。這項研究透過克服現有解決方案工藝技術的局限性並開發出一種新型的電阻式隨機存取記憶體,擴大了該技術的套用範圍。

電氣工程與電腦科學系的權教授表示:「這是顯著改善現有溶液工藝技術問題的結果。它也有望為下一代密集計算系統和基於溶液工藝的電子產品的大規模生產做出貢獻。」器材。」

該研究發表在【材料科學與技術雜誌】上。

*免責聲明:本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點,半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點,不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持,如果有任何異議,歡迎聯系半導體行業觀察。

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