在芯片設計、制造和封測的過程中，芯片制造無疑是技術難度最高的一環。
全球少數幾家掌握10納米及以下級別芯片制造技術的公司也僅有台積電、三星、英特爾以及中芯國際。
其它晶圓廠如格芯和聯電則早已宣布，不計劃進入10納米以下工藝的競爭。
10納米以下的先進制造工藝是美國想要嚴格控制的領域，因為芯片的效能代表了計算能力，而計算能力是科技和經濟實力的重要標誌。
因此，幾年前美國已對中國的芯片產業施加了限制，企圖將中國的芯片制造能力限定在14納米以上，以此確保美國芯片產業的全球領先地位。
在這種背景下，作為中國芯片制造的領頭羊，中芯國際面對美國的壓力，選擇了怎樣的策略呢？
當時眾多分析猜測中芯或是專註於成熟工藝，或是集中資源沖刺先進工藝，甚至有觀點認為中芯會兼顧兩者。
現在看來，中芯的選擇是正確的，它不僅成為了全球第三大晶圓代工廠，還因訂單充裕、先進芯片產能緊張而供不應求。
中芯的策略是，一邊擴大成熟工藝芯片的產能，一邊也在努力突破先進工藝的限制。
在擴產方面，中芯不斷擴建，已有包括中芯上海、中芯天津、中芯深圳、中芯北京、中芯北方、中芯南方、中芯京城以及上海臨港、中芯深圳、天津西青等多地芯片制造基地，這些基地涵蓋6英寸、8英寸、12英寸等多種工藝線。
這些持續的產能擴張讓中芯的營收和晶圓出貨量穩步增長，終於在2024年超越了格芯和聯電，成為全球第三大晶圓代工廠。
在先進工藝方面，自從14納米工藝開始，中芯就采用了FinFET晶體管技術，並持續突破，盡管中芯不公開具體的工藝數據，但從麒麟9000S和麒麟9010芯片可以看出，其使用的納米工藝水平已經非常先進。
中芯的聯席CEO也曾表示，目前公司的先進芯片產能已被完全預訂，今年內無法再提供更多產能，顯示出晶圓的極度短缺。
因此，中芯的戰略顯然是正確的：發展成熟工藝，擴大產能，提升晶圓產量，幫助國內更多的芯片公司生產芯片，與供應鏈共同成長，同時也不斷發展先進工藝，力求技術突破，最終取得成功！
