前沿導讀
中科大物理學教授朱士堯發表了自己對於中國國產光刻機的看法，他表示，對於5nm制程的光刻機來說，全世界不只是中國，美國也造不出來，中國現階段是不可能可以造的出來的。
光刻機是一個國家在制造器材領域整體實力的表現，從整體實力來說，我們跟已開發國家還有很多年的差距。
光刻機涉及到太多的學科和基礎性的東西，荷蘭的ASML也是結合了幾十個國家在這方面的工藝，用最頂級的技術和工藝整合起來的，最後在荷蘭組裝起來。
中國目前還做不到，說能做到的，一定是不懂的人在吹牛。當然了，對於這種技術問題來說，我們在將來會慢慢的來解決。
國產光刻機的實力
目前來說，除了中國上個月在國家平台公布的氟化氬光刻機之外，並沒有其他更先進的器材公布。這也就表明，如果是用國產技術、國產供應鏈打造的光刻機器材，193nm波長、分辨率≤65nm的氟化氬光刻機，就是目前中國技術最先進的器材。
朱士堯教授曾經在網絡上面表達了自己對於國產光刻機的看法，但是很多人歪曲了朱教授的意思，都認為朱教授說中國造不出光刻機這句話，指的是中國造不出光刻機這種器材，哪怕連幾十年前最基礎的器材也造不出來。
但是朱教授針對的是5nm制程的光刻機，也就是13.5nm波長的EUV光刻機，這種技術水平的產品，全世界只有荷蘭的ASML可以透過整合全球的供應鏈，組裝完成，美國和中國都做不到。
我們先來談論國產光刻機的水平：
193nm的波長，表明這款光刻機是DUV技術。DUV技術分為幹式和浸潤式，浸潤式在套刻精度足夠高的情況下，可以透過多曝光的技術實作7nm制程的芯片制造。
分辨率≤65nm，可以制造55nm制程的芯片。
但是中國國產光刻機的套刻精度≤8nm，在最極限的情況下可以透過多曝光制造40nm制程的芯片，與浸潤式光刻機的制造水平完全不相符，所以我們的國產光刻機屬於幹式的DUV技術。
193nm波長的幹式DUV光刻機，這個器材的技術體系最早出現在1999年，被大面積商用也是在千禧年之後的一段時間內，隨後台積電的林本堅開創了浸潤式技術，將光刻機的發展帶入了下個階段。
多年之後，美國的公司在光源上面采用了極紫外線技術，一次曝光就可以制造7nm制程的芯片，光刻機的發展進入了EUV領域。
光刻機技術的格局
對於EUV光刻機來說，零部件供應商的要求標準都是非常嚴格的。內部的鏡頭部份，都是由德國蔡司獨家供應。連美國、日本的一些主攻鏡頭技術的企業，都沒有資格將蔡司的鏡頭替換掉。
所以朱教授說，中國和美國都造不出來5nm制程的光刻機，這句話並沒有什麽錯誤。
當然了，如果沒有蔡司的鏡頭，美國大可以用本土企業的鏡頭進行代替，但是更換了供應商，器材的效能、效率以及產品的良品率就沒有了保障。一台沒辦法保證產品良品率的光刻機器材，基本就相當於廢鐵差不多，唯一的用處就是拆開之後，對內部的元器件進行技術拆解。
在國產光刻機這邊，長春光機所已經掌握了一些EUV技術的曝光工藝，在光源上面有了技術突破。但是EUV光刻機光有光源的曝光台不行，還需要其他高水平的零部件拼裝起來，形成一整套的技術器材。
EUV光刻機最難的不是每個環節的技術突破，而是將所有的環節、所有的零部件整合起來之後，器材的工作效率、良品率、與其他器材的協同性，都是存疑的。光有一台EUV光刻機，確實可以將晶圓打磨出來，但是打磨出來之後，就需要用刻蝕機來進行最後一步的處理。
經過光刻之後的芯片，需要用化學品或者等離子體去除掉不需要的部份，這個工序占芯片制造30%左右的時間，而且對於芯片良品率的提升至關重要。
刻蝕技術所用到的材料，因各企業性質的不同，所以也會存在極大的差異。
如果刻蝕技術所需要的清洗液存在不相容的情況，那麽就無法交付給刻蝕機進行清洗的環節，也就無法在晶圓被光刻之後，去除晶圓上面多余的那一部份。對於這種沒有被刻蝕機進行加工過的芯片，屬於不合格的產品，根本不能放在其他器材上面進行使用。
中微半導體的董事長尹誌堯曾經在訪談中表示，芯片的制程工藝到達了5nm、3nm這個階段，光刻機已經不是整個環節當中最唯一的器材了，後續的制造需要高水平的刻蝕機參與進來，這樣才可以提升芯片的良品率，以此來保證光刻機打磨出來的芯片是可以用的。
中國在刻蝕機上面已經形成了自己的一套技術壁壘，並且由中國中微半導體出品的刻蝕機器材，已經交付給了台積電等相關企業。
現在國內，已經在EUV光源技術上面有了自己的一套技術理念，剩下的就是要解決光刻機的零部件供應問題。如果要是選擇采用國產供應鏈體系來打造先進的光刻機器材，這個工程量相當龐大，研發的周期完全就是不可預知的。
