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華為公司申請扇出型芯片封裝結構和制備方法專利,降低扇出型封裝結構中的電磁幹擾

2024-02-12科技

金融界2024年2月9日訊息,據國家知識產權局公告,華為技術有限公司申請一項名為「扇出型芯片封裝結構和制備方法「,公開號CN117546288A,申請日期為2021年10月。

專利摘要顯示,本申請實施例提供了一種扇出型封裝結構和制備方法,該扇出型封裝結構包括第一重布線層,第一重布線層中包括與公共地連線的第一電磁遮蔽層;第二重布線層,第二重布線層中包括與公共地連線的第二電磁遮蔽層;第一芯片,設定於第一重布線層和第二重布線層之間,第一電磁遮蔽層和第二電磁遮蔽層向第一芯片的正投影至少部份覆蓋第一芯片;環繞第一芯片的導電結構,沿第一芯片的厚度方向,導電結構連通第一電磁遮蔽層和第二電磁遮蔽層;塑封材料,塑封材料填充於第一重布線層和第二重布線層之間、未設定第一芯片和導電結構的區域,用於包裹第一芯片,該扇出型封裝結構可以降低扇出型封裝結構中的電磁幹擾。

本文源自金融界