三星正在考慮在其下一代DRAM中套用模壓填充(MUF)技術。三星最近測試了一種用於3D堆疊(3DS)記憶體的MR MUF工藝,與TC NCF相其吞吐量有所提升,但物理特性卻出現了一定惡化。經過測試,該公司得出結論,MUF不適用於高頻寬記憶體(HBM),但非常適合3DS RDIMM,而目前3DS RDIMM使用矽通孔(TSV)技術制造,主要用於伺服器。
(來源同花順,以上資訊為南都·灣財社AI大數據自動生成)
三星正在考慮在其下一代DRAM中套用模壓填充(MUF)技術。三星最近測試了一種用於3D堆疊(3DS)記憶體的MR MUF工藝,與TC NCF相其吞吐量有所提升,但物理特性卻出現了一定惡化。經過測試,該公司得出結論,MUF不適用於高頻寬記憶體(HBM),但非常適合3DS RDIMM,而目前3DS RDIMM使用矽通孔(TSV)技術制造,主要用於伺服器。
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