大家好，我是 電源漫談 ，在SiC功率器件或者模組的可靠性測試中有一項測試比較典型，今天我們來簡要討論一下。
圖1 典型功率模組的IDSS漏電流指標
在一般的規格書電氣特性中，我們可以看到會標識功率模組的漏電流參數值，以MSCSM120AM16CT1AG這個1200V 12.5mohm典型阻抗的功率半橋模組來說，其漏電流為如圖1所示，這個1200V可以看出IDSS這個漏電流參數，在1200V漏極電壓反偏下，門級電壓為0V,典型值為20uA，最大值200uA。
pTRB, 具體含義是High Voltage High Humidity High Temperature Reverse Bias，即高壓高溫高濕反偏測試，這項測試是測試功率器件在此惡劣嚴酷環境下的使用的可靠性，對於功率模組而言，在其內部會使用矽膠作為絕緣材料，矽膠在潮濕環境下容易吸濕，在無法做到完全密封的模組條件下，隨著時間的推移，這將導致功率模組的絕緣效能受損，繼而在電路執行中發生故障。
圖2 pTRB測試規範
測試SiC MOSFET的pHTRB測試和Si MOSFET測試區別主要是施加的漏極電壓或者反向電壓不同，一般測試Si 器件的反向電壓較低，而SiC MOSFET的施加電壓卻達到0.8倍的額定電壓，更為嚴苛，根據上述典型的測試規範，在高溫高濕條件下，施加0.8倍的額定電壓下，門級施加0V電壓，測試1000小時以上，以證明其可靠性。
圖3 功率電子器件
圖4 功率電子器件的使用環境
