金融界2024年2月10日訊息，據國家知識產權局公告，華為技術有限公司取得一項名為「一種半導體器件及制造方法「，授權公告號CN111834462B，申請日期為2019年2月。
專利摘要顯示，本申請公開了一種半導體器件及制造方法，該器件透過溝槽柵結構，溝槽底部溝道設定，縱向場板、縱向P‑N結構的雙縱向RESURF技術，減少元胞漂移區尺寸，增加漂移區濃度，減少漂移區電阻，縮小元胞尺寸。該器件可以基於傳統的分離槽柵MOS工藝或者單片整合BCD工藝技術實作，制造工藝簡單，制造成本低。如此，本申請可以基於傳統低成本制造技術，實作具有低導通電阻，高可靠性的雙向耐壓的MOS型開關器件。此外，本申請還公開了一種終端器材。
本文源自金融界
