美國麻省理工學院發明了一種鐵電材料制成的晶體管，可能會徹底改變電子學，並在未來一二十年改變世界，這項研究已發表在6月6日【科學】雜誌上。
這項基礎物理的重大突破，簡單來說就是科學家們利用單層石墨烯作為溝道層，和超薄的鐵電體雙層氮化硼結合制成鐵電場效應晶體管，當施加電場時，各層會相互微微滑動導致硼和氮原子位置發生改變，從而極大地改變了材料的電子特性。
這種場效應晶體管具有三大令人印象深刻的效能優勢：
能夠以納秒級速度在正負電荷（即0和1）之間切換，有利於高效能計算和數據處理。
耐久性極強，經過1000億次開關後仍然沒有任何退化跡象，遠遠超過傳統的快閃記憶體器材。
晶體管結構超薄（厚度僅為十億分之一米），為制造更密集的電腦記憶體和提高能效奠定了基礎。
超快速度、超強結構、超小尺寸，研究人員認為這是基礎電子學領域一項潛力無限的創新技術，將在未來一二十年徹底改變世界。
不過研究人員也承認，這項研究還處於早期階段，制造過程極為復雜，還不適用於大規模生產，目前只制造出了單個晶體管作為演示。
他們還在研究用光脈沖等方式來觸發鐵電性，並測試這種開關的最終極限，同時探索批次制造的方法，希望能在晶圓級規模上進行制造，從而大規模套用於未來的電子產品。
參與這項研究的還有康奈爾大學、哈佛大學、日本國家材料科學研究所。
參考：Ultrafast high-endurance memory based on sliding ferroelectrics
