6月29日訊息，如今的SSD容量越做越大，企業級SSD容量已達30TB、60TB的、甚至120TB。但SSD壽命一直是「致命傷」，越大容量的盤，出現故障後，遺失的數據就越多。
近日， 華為數據儲存發文，揭開華為全閃分布式儲存讓SSD大盤更「長壽」的秘訣。
首先，為什麽SSD會有壽命問題？
SSD快閃記憶體實際是由半導體元件、NAND Flash顆粒組成。透過對盤上顆粒不斷的擦和寫，來完成對數據的增、刪、改、查。
這個過程中，顆粒捕獲電子的能力會逐漸減弱，當減弱到一定程度後、也就是超過顆粒最大擦寫次數，便可能出現「電子逃逸」現象，也就是硬碟寫穿、數據錯誤、壽命耗盡。
盤上全部顆粒可支持的總擦寫次數 和 使用期間使用者寫入的數據量。只要後者小於前者，那麽就能保證壽命無憂！
因此，下面這個公式就能一目了然：
所以，想延長SSD壽命，就要減少「寫放大」。
為了降低分母，就要減少罪魁禍首——「寫放大」。寫放大的意思是，比如，在寫入16KB的業務數據時，呈現到盤上卻變成寫入64KB物理數據量，被放大了，消耗了數倍的擦寫次數，加速顆粒老化。「寫放大」的源頭來自於以下三點：
後台垃圾回收
SSD是無法覆蓋寫的，要想修改數據必須擦除顆粒、重新寫入，Block就是擦除的最小單元。當少量數據修改時， SSD就會將原Block上的全部有效數據讀取後，寫入新的Block位置，再擦除原Block。
這個過程，就像整理房間一樣，要先把老房間的東西全部搬出來，再放到新房間裏重新布置。換句話說，少量的數據更新，會引發更大面積顆粒的擦寫。
小I/O補齊
SSD可讀寫的最小單元是Page（一般是512個byte）。在使用者層面寫入數據時，當使用者寫入的I/O大小不足一個Page容量，為了能管理它，就需要額外尋找另一份數據，來和原數據拼湊成一整個Page的大小，再寫入到顆粒中。「這個不夠、別的來湊」，這用來湊齊的無效數據，就會造成寫放大。
後設資料變化
在SSD上，後設資料是描述數據的索引，一般緊密地存放在一些Block區域。當使用者在頻繁修改數據時，對應的每份後設資料也必須跟著被修改、重新導向，造成多次讀寫、擦寫，牽一發而動全身。
華為OceanStor Pacific分布式儲存采用了一個創新的機制——小I/O聚合，將小I/O在寫盤前聚合在保電記憶體中，只有達到一定粒度後才會寫入SSD，消除了小I/O補齊導致的寫放大。
這對後設資料變化也非常友好。聚合後的小I/O更容易被集中修改，極大減少後設資料被頻繁擦寫的概率。
同時，華為還采用了業界獨創的多流技術，即智能辨識數據的冷熱程度並最佳化數據布局，減少不必要的重復擦寫和數據搬移。
除了分母，也要增大分子。華為是采用額外的編碼糾錯技術，在達到顆粒的標稱擦寫次數後，對數據持續校驗或修正，徹底避免數據錯誤、業務出錯，變相地增大了顆粒的總擦寫次數。
華為開發了一套更加強大的組合拳——LDPC（Low Density Parity Check）演算法與SmartFSP 3.0演算法，一方面對Flash介質進行監測，尋找更精確的讀取電位，另一方面保證高效能的校驗糾錯效能，提供更加精準的盤內冗余糾錯精度。
一個糾得正，一個查得準，二者配合，華為就將SSD數據的誤碼率從10-17降低至10-18，整整降低一個數量級，延長30~50%的SSD壽命。
