金融界2024年10月26日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为「原子层沉积控制方法以及控制设备、沉积设备」的专利，公开号CN 118814144 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本申请涉及一种原子层沉积控制方法以及控制设备、沉积设备，包括：用于控制工艺腔室执行N次目标工艺步骤对其内的晶圆表面沉积目标厚度的目标膜层；其中，执行第i次目标工艺步骤包括：在向工艺腔室内通入交替前驱气体期间，控制励磁源向工艺腔室内施加第一磁场的同时，控制晶圆载盘向晶圆表面施加静电场，使得种前驱气体分解出的成膜目标离子朝向晶圆表面加速运动，并吸附在晶圆表面或与早已吸附的目标离子反应并形成第i层原子薄膜，i∈[1，N]。根据前驱气体分解离子电性状态和电荷量灵活调节外加磁场和电场方向及强度，达到在扩大工艺温度窗口的同时缩短薄膜沉积周期及提升薄膜均匀性的目的。
