国产光刻机在沈逸教授的最近访谈中被这样点评：。
这基本上是浸润式的上一代产品，采用的是干式技术。
如果你拿这个去和ASML对比，毫无疑问，它的技术水平最多相当于人家十年前甚至二十年前的设备。
这并不是什么令人尴尬的事情。
问题在于，我们的设备用了多久时间，使用了哪些非美工艺和产业生态来制造，这已经很厉害了。
事实真的像说的那样吗？
众所周知，光刻机是芯片制造的核心设备。
在芯片制造的所有设备中，光刻机的成本占比达到了24%，其次是刻蚀机，占比约为20%，两者合计占比高达44%。
光刻工艺是芯片制造环节中最复杂、精确度要求最高的工艺。
它不仅用于曝光光刻胶并进行图案化，还在先进工艺中需要进行多次曝光，进一步凸显了其在芯片制造中的地位。
因此，一款精密、稳定的光刻机至关重要。
目前，全球的光刻机市场基本上被ASML垄断，还有一小部分被日本的尼康和佳能控制，而国产光刻机的市场份额几乎为零。
根据2023年全球光刻机市场份额统计，ASML的市场份额超过80%，而先进的EUV光刻机市场份额达到了100%，中端DUV光刻机的市场份额则超过了90%。
任何一家公司，不管大小，想要制造28nm以下的芯片，都会选择购买ASML的光刻机，包括芯片巨头台积电、三星和英特尔，以及中国的中芯国际、长江存储和长鑫存储。
随着中国芯片的迅速发展，美国感到压力，开始在芯片领域对我们施加限制，一场轰轰烈烈的国产替代随之而来。
从芯片设计到芯片制造，再到EDA，最终到光刻机。
2024年9月9日，工信部发布了【首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024 年版）】，其中明确提到了国产光刻机的最新进展。
在「集成电路生产装备」类别中，目录列出了氟化氪（KrF）和氟化氩（ArF）光刻机。
这两种光刻机都是深紫外（DUV）光刻机。
其中，氟化氩光刻机的关键技术指标包括：光源波长193nm，分辨率为≤65nm，套刻精度为≤8nm。
许多网友在看到套刻≤8nm时，会误以为国产光刻机可以生产8nm芯片，但这并非事实。
上世纪90年代出现的193nm光源，是光刻机的一项技术分水岭，这项技术至今已有30年的历史。
分辨率65nm，与ASML的DUV光刻机相比，其34nm分辨率仍有显著差距。
ASML于2007年推出了首台浸润式DUV光刻机，将分辨率从65nm提升至36.5nm，随后又经过多次迭代，最终将分辨率提升至34nm，这确实是一个20年左右的差距。
套刻≤8nm，这句话很有意思。
套刻本质上是多重曝光，通过在不改变光源波长的情况下提高分辨率水平，以制造更先进的芯片。
台积电曾使用该技术，成功利用浸入式DUV光刻机（型号为1980Di）为华为生产了麒麟990芯片。
这款芯片采用了7nm工艺。
那么，是否可以推断，我们使用国产光刻机进行多重曝光后，也能生产出麒麟990芯片？理论上这是可行的，但由于良品率过低导致成本过高，实际上根本无法实现商业化。
也就是说，套刻≤8nm在公开数据中仅表示为技术参数，而非量产数据。
从193nm光源和65nm分辨率的角度来看，工信部9月份发布的是一款干式光刻机，能够实现65nm芯片的量产，相当于ASML 20年前的水平。
复旦大学政治系沈逸教授所说的话，是有道理的。
然而，根据中国的惯例，一旦公开某种技术，这通常意味着这种技术并非是最先进的。
我们一直致力于公布一代、测试一代、研发一代、规划下一代。
我们之所以敢于公布65nm干式光刻机，是因为28nm光刻机已在测试阶段，甚至可能已经测试完成，而EUV光刻机也正在研发中，并且已攻克了一些关键技术。
对于制造2nm以下芯片所使用的高数值孔径EUV光刻机，我们已经纳入了规划。
不要只看到ASML领先的优势，就速度而言，中国排名第二，没有任何国家敢声称自己排名第一。
以我们最不擅长的人均GDP为例，美国从5000美元增加到1万美元用了9年（1969-1978年），最近备受瞩目的以色列也用了9年。
德国用了6年，法国和日本用了5年，英国则用了2年。
然而，这些国家的总人口不及中国的一半（美国拥有3.3亿人口，德国人口为8300万，日本人口为1.26亿，法国人口为6700万，英国人口亦为6700万，总计6.73亿人口）。
我国用8年时间，成功带领近14亿人口跨越这一关卡，这一速度已经非常快了，其他国家恐难以超越。
我们在其他方面的成就更是超乎你的想象！
每分钟，36家公司完成注册、55辆汽车驶下生产线、超过1000人乘坐飞机、电影票房突破10万元；。
每一小时，建成500公里的高速铁路、处理600万件快递、生产1.5亿斤粮食、完成贸易额5亿美元、创造GDP超过100亿元；。
70年来，GDP增长了170倍，工业产值增长了970倍。
人均寿命延长了42岁，7亿人脱离了贫困。
那么，如果中国已经实现了65nm光刻机的商业化，那么要实现28nm光刻机的商业化需要多长时间？制造出EUV光刻机又需要多长时间？是3年、5年还是10年？
在中国速度的推动下，国产光刻机的开发速度远远超过ASML。
或许就在明天，工信部将会宣布28nm光刻机的消息，从而将落后ASML二十年的历史翻页。
除了速度之外，国产光刻机的自主性是ASML难以企及的。
由于打压和限制，国产光刻机的自主性几乎可以达到100%，这是毫无疑问的。
然而，ASML的情况却不同。
尽管它垄断了EUV光刻机，但它只是一个组装大型工厂，拥有的核心技术仅占10%。
剩余的90%技术来自美国、德国、法国、日本和中国台湾等地。
仅海外供应商就接近4000家，其中包括大陆的一些厂家。
例如，德国蔡司的镜头、德国通快的激光器、法国的精密轴承等。
荷兰可能一辈子都无法独立研发出这些技术，因此一旦海外供应中断，ASML也将被迫停止运作。
只有全球独一无二的中国光刻机，是依靠自身实力打造出来的，这一点连美国也无法比拟。
总结一下，根据工信部已公开的数据，国产光刻机落后于ASML 20年。
然而，我们并不知道那些未公开的数据究竟有多么强大。
此外，中国的光刻机是独立研发出来的，而ASML则是整合了全球的零部件。
这也是ASML无法自行决定向哪个客户销售何种类型光刻机的原因之一。
我是科技铭程，欢迎在评论区留言，共同探讨！
