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被打压的长江存储,100%自研的QLC芯片,再次封神了!

2024-07-31科技

导语

2016年,南京长江存储科技有限公司的成立标志着中国存储行业新的开端。

长江存储不仅是国内最大的3D NAND闪存生产商,也是全球首家量产232层3D NAND闪存的厂商。

尽管近年来长江存储面临着美国的打压,但其技术创新从未停止。

就在前不久,长江存储再次发布了新一代QLC 3D NAND闪存,将IO接口速度提升至2400MT/s,并在读写速度上比上一代提升了近100%。

被打压的长江存储。

自2016年成立以来,长江存储以其强大的技术实力迅速崛起,成长为全球知名的存储厂商。

在2016年全球半导体大会上,长江存储推出了全球首款量产的32层3D NAND闪存。

这一重大突破标志着中国存储行业的落后程度正逐渐缩小。

2019年,长江存储再次领先全球,量产了64层3D NAND闪存,在技术实力上独占鳌头。

2020年,长江存储又推出全球首款量产128层3D NAND闪存,进一步巩固了其行业领导者地位。

2021年,长江存储再次领先全球,量产了176层3D NAND闪存。

然而,这一突破令美国和日本等国家感到威胁,纷纷对长江存储实施打压,并对其出售生产设备设限,甚至限制相关人员和技术的流入。

面对外部压力,长江存储没有选择放弃,而是迎难而上。

2023年,长江存储率先量产232层3D NAND闪存,再次站在行业最前沿,领先全球3-5年。

不仅如此,长江存储还在今年发布了新一代QLC 3D NAND闪存,进一步展现出其强大的技术实力和创新能力。

尽管美国多次对长江存储实施打压,甚至扬言要将其从全球全球NAND Flash市场中排除,但长江存储并没有因此止步不前。

长江存储在不断攻克技术难关的过程中,积累了丰富的技术经验和实力。

如今的长江存储已经成为全球存储行业的重要参与者,拥有更加强大的核心技术。

被打压的长江存储,100%自研的QLC芯片,再次封神了!

2023年9月22日,长江存储在官网发布公告,正式推出0.1版本的更新。

与此同步,长江存储发布了一系列重要更新,包括新型QLC 3D NAND闪存「X3-6070」的产品说明书。

据悉,这是长江存储继2022年发布「X3-4D」之后的又一重要更新。

长江存储在公告中指出,新款QLC 3D NAND闪存「X3-6070」具有显著的IO接口优势,速度达到了2400MT/s。

这一速度较上一代的1600MT/s大幅提升了50%,展现出非常强大的技术实力和创新能力。

存储产品的设计必须在稳定性和速度之间取得很好的结合,否则将会大幅降低用户体验。

采用了Longan先进技术的第二代QLC 3D NAND闪存产品在这方面取得了显著提升。

在读写速度方面,新款产品的读速度达到了1200MB/s,写速度则达到了1100MB/s。

这一速度提升非常明显,使得用户在存储和读写数据时能够更加高效地完成任务。

相比上一代产品,新款「X3-6070」 在读写速度上提升了近100%。

不仅如此,新款产品还在P/E擦写次数方面实现了革命性的进步。

P/E擦写次数是存储产品的一个重要性能指标,它指的是闪存能够承受的写入和擦除的次数。

这个次数越高,意味着产品的使用寿命越长,更加耐用。

上一代产品的P/E擦写次数为1000次,而新款「X3-6070」的P/E擦写次数高达4000次。

这一提升十分突出,是上一代的4倍。

在使用寿命方面,新款产品可以满足用户更长期的需求,显著减少了更换频率。

随着存储技术的不断发展,NAND产业也在不断推陈出新,推出更高层次的存储产品。

长江存储如今发布的新一代产品就是在这一趋势下的结果。

这一产品的推出,不仅展示了长江存储在技术创新方面的能力,更加突显了我国在NAND产业领域的领先地位。

和长江存储不同的是,Western Digital的QLC 3D NAND闪存要晚上一点推出。

这款QLC 3D NAND闪存是Western Digital与中国长江存储共同研发的新一代产品。

重磅来袭,闪存界的新势力!

长期以来,NAND产业一直处于国际巨头的垄断之中。

然而,随着长江存储的崛起,国内NAND产业迎来了难得的机会。

长江存储不仅具有技术先进性和未来发展潜力,更为国内存储行业带来了积极的推动作用。

长江存储的成功激励了更多国内企业加大科技创新投入,并将自主研发作为核心发展战略。

长江存储在技术实力和经验积累方面领先全球同行,其新一代QLC产品的推出让人们对未来存储技术的发展充满期待。

长江存储的不断突破和创新,不仅为国内存储行业注入了强大动能,也为我国科技领域的自主创新提供了坚实的基础。

伴随着市场需求的日益增长,存储产品的技术创新成为行业发展的关键。

随着3D NAND技术的不断发展,存储产品的性能和稳定性不断提高。

3D NAND技术作为一种新兴的闪存技术,具有更高的存储密度和更快的读写速度,是未来存储技术发展的重要方向。

长江存储在这一领域的领先地位无疑将为我国科技行业的发展提供强大支持,并推动国内存储行业的快速崛起。

在存储行业竞争日益激烈的背景下,存储产品的性能和可靠性将直接影响企业的市场竞争力。

长江存储的新一代QLC产品凭借其卓越的性能和可靠性,无疑将成为众多企业的首选。

此外,闪存作为一种新兴的存储技术,凭借其高速读写性能和高存储密度,在各个领域得到了广泛应用。

闪存的广泛应用不仅推动了存储行业的发展,也为我国科技行业注入了新的活力。

核心技术的掌握与创新。

长江存储的成功不仅体现在存储产品的性能和技术上,更体现在其核心技术的掌握和创新上。

作为国内NAND产业的领军者,长江存储不断攻克技术难关,积累了丰富的技术经验。

核心技术的掌握将使长江存储在市场竞争中占据更大的优势。

与此同时,长江存储在核心技术的创新方面也不断取得突破,不仅提升了存储产品的性能,更推动了存储技术的发展。

除了掌握核心技术,长江存储还注重技术创新,致力于推动存储技术的发展。

随着存储技术的不断演进,新一代QLC产品的推出不仅是技术创新的结果,更是长江存储对于市场需求的敏锐把握。

长江存储将不断引领存储技术的发展,为用户提供更高性能的存储产品。

结语

长江存储的成功经验对我国科技行业有着重要的借鉴意义。

在科技创新上,我国应加大投入力度,加速核心技术的研发和突破。

国家应更加支持科技企业,保护其核心技术的安全性和完整性,推动自主创新的发展。

长江存储在全球NAND市场的成功,不仅为我们提供了信心,也为我们指明了方向。

在面临外部压力时,我们应坚持自主研发,持续推进技术创新,这样才能在科技竞争中立于不败之地。

长江存储的成功,不仅是我国科技行业的一次重大突破,更是我国自主研发的一次巨大的成功经验。

在未来,我们将继续期待长江存储在存储技术领域不断取得新的突破,为我国科技行业的发展注入新的动力。