5nm芯片破局，美国禁令将成废纸？
美国人最忌惮的就是中国的科技，那就是14 nm制程，18 nm DRAM,128 nm NAND快闪记忆体。
虽然目前还没有发布14 nm制程的手机，但是我们已经了解了麒麟9000以及麒麟9010的制程技术。
我们并不清楚 DRAM到底要用到几个奈米制程。尽管如此，我们还是成功地处理了232层 NAND闪存芯片的问题，而那些问题还没有被公开。
在某些方面，它让我们少了很多的压力。
但是我们必须要将5 nm工艺提升到5 nm或者更高的水平，这样我们就可以摆脱美国的封锁，让我们的禁令失效。
资料表明，全球75%以上的半导体都在28 nm以上，低于5 nm的晶片不足2%。
根据业界人士的说法，现在使用5 nm制程的只有手机 Soc、 PC CPU和 GPU，而5 nm以上制程则占到了98%，为该行业奠定了坚实的基础。
也就是说，一旦5 nm技术成熟，世界上97%的芯片都能实现批量生产，那还有什么好担心的？虽然这3%的份额很关键，但也不是一定要制造出来的。
尽管4 nm,3 nm和2 nm也是同等重要的，但是5 nm工艺经过一定的工艺优化，例如增大晶片的面积，或者采用更小的晶片工艺，可以达到3 nm或者2 nm的水平。
因此，问题来了：5 nm制程能否成功？华为董事长张平安曾经公开说过，3 nm肯定是不行的，7 nm制程我们肯定能做到。
虽然很多人都以为7 nm制程是不可或缺的，但是浸没式光刻之父 Hayashi表示，5 nm晶片完全可以通过 UV浸没式光刻来制造。
但是，利用光刻方法制备5 nm的晶片，必须进行多次的曝光，这样的话，成品率就会非常的低下，而且制造的价格也会非常昂贵，不能进行大规模的工业化。光刻的效果并不好，所以他们得另寻他法，不然他们的专利权就要被抢了。
